[发明专利]基于h-BN/p-AlGaN超晶格的高效深紫外发光二极管在审
| 申请号： | 201811421092.5 | 申请日： | 2018-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN109411576A | 公开（公告）日： | 2019-03-01 |
| 发明（设计）人： | 周小伟;王燕丽;吴金星;李培咸;许晟瑞;马晓华;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/06;H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人： | 王品华;朱红星 |
| 地址： | 710071 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 深紫外发光二极管 超晶格 空穴 电流拥堵 紫外发光设备 电导率 多量子阱层 发光功率 交替生长 衬底 可用 制备 缓解 生长 | ||
1.一种基于h-BN/p-AlGaN超晶格的高效深紫外发光二极管，自下而上包括：衬底(1)、n型AlxGa1-xN层(2)、AlyGa1-yN/AlzGa1-zN多量子阱层(3)和p型层(4)，其特征在于：p型层(4)采用由h-BN和p-AlwGa1-wN按5-40个周期交替生长的h-BN/p-AlwGa1-wN超晶格，以增加空穴迁移率，降低深紫外发光二极管中的电流拥堵，提高器件发光效率。
2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述h-BN/p-AlwGa1-wN超晶格的的每层h-BN层厚度为3-12nm和p-AlwGa1-wN层的厚度为2-10nm，p-AlwGa1-wN层掺杂浓度范围为6×1016cm-1-6×1017cm-1，Al含量w的调整范围为0-1。
3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述衬底(1)为GaN或AlN或蓝宝石或SiC或Si。
4.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述的n型AlxGa1-xN层(2)的厚度为1000-6000nm，掺杂浓度为5×1017cm-1-1×1019cm-1，Al含量x的调整范围为0.35-1。
5.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述AlyGa1-yN/AlzGa1-zN多量子阱层(3)由厚度为1-8nm的AlyGa1-yN阱层和厚度为8-25nm的AlzGa1-zN垒层交替生长3-8个周期组成，Al含量y的调整范围为0.25-0.9，Al含量z的调整范围为0.35-1。
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