[发明专利]阵列基板及其制作方法和显示装置

说明书

本发明公开了一种阵列基板制作方法，所述阵列基板制作方法包括以下步骤：提供一基板；在所述基板上依次形成薄膜晶体管的栅极、栅绝缘层、有源层、源极/漏极金属层和保护层；涂布像素电极的光阻，通过图案化方式形成像素电极，所述像素电极不形成于保护层上，且所述像素电极直接与所述漏极金属层连接。本发明还公开了一种阵列基板和显示装置。本发明ITO像素电极层不会与保护层接触，避免了保护层与ITO像素电极的不兼容问题，提高了显示装置的稳定性，提高了显示画面的稳定性和显示效果。

技术领域

本发明涉及液晶显示技术领域，尤其涉及阵列基板及其制作方法和显示装置。

背景技术

随着科技水平的不断提高，越来越多带有显示装置的设备进入人们的日常生活和工作当中，例如，电视、手机等。在显示技术领域中，传统的TFT-LCD(Thin FilmTransistor-Liquid Crystal Display，薄膜晶体管液晶显示器)面板TFT(阵列基板)侧的制程存在一定的缺点，如第四层的保护层需要挖接触孔，来连通在它上面的ITO像素电极，但是ITO像素电极与保护层的兼容性不好，造成画面异常。

目前，液晶显示装置的阵列基板侧将ITO像素电极制作在保护层上，通过在保护层上挖接触孔的方式连接ITO像素电极和漏极的方式会导致画面异常，影响显示装置的显示效果。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种阵列基板及其制作方法和显示装置，旨在解决目前液晶显示装置的阵列基板侧将ITO像素电极制作在保护层上，通过在保护层上挖接触孔的方式连接ITO像素电极和漏极的方式会导致画面异常，影响显示装置的显示效果的问题。

为实现上述目的，本发明一方面提供一种阵列基板制作方法，所述阵列基板制作方法包括以下步骤：

提供一基板；

在所述基板上依次形成薄膜晶体管的栅极、栅绝缘层、有源层、源极/漏极金属层和保护层；

涂布像素电极的光阻，通过图案化方式形成像素电极，所述像素电极不形成于保护层上，且所述像素电极直接与所述漏极金属层连接。

可选地，所述方法，还包括：

在所述基板上沉积一第一金属层；

进行第一光罩曝光和腐蚀制造工艺来限定所述第一金属层的图案，以在第一金属层中形成一栅极；

在所述基板上沉积一绝缘层，使其覆盖所述第一金属层表面；

依序沉积一半导体层、一掺杂硅层以及一第二金属层，进行第二光罩和腐蚀工艺来限定所述半导体层、所述掺杂硅层以及所述第二金属层的图案，用以形成一薄膜晶体管岛状结构；

进行一第三光罩和腐蚀制造工艺以在所述第二金属层以及所述掺杂硅层中形成一源极/漏极金属层，并完成所述薄膜晶体管的制作；

在所述基板上形成一保护层，且覆盖薄膜晶体管的表面。

可选地，所述涂布像素电极的光阻，通过曝光、显影的方式形成像素电极的步骤包括：

进行一第四光照和腐蚀制造工艺，限定所述像素电极的图案，使得所述像素电极形成于栅绝缘层上，而不形成于保护层之上。

可选地，所述像素电极为氧化铟锡构成。

可选地，所述方法，还包括：

通过曝光工艺在所述基板上形成公共线；以及

通过曝光工艺形成连接至所述公共线的公共电极，所述公共电极在所述像素区域中与所述像素电极交替。

此外，为实现上述目的，本发明另一方面还提供一种阵列基板，所述阵列基板包括：

基板，