[发明专利]基板结构、封装结构及其制造方法

权利要求书

1.一种封装结构的制造方法，其特征在于，包括：

第一步骤：提供一介电结构，具有相对的一第一介电表面与一第二介电表面，以及位于第二介电表面的一介电开口；

第二步骤：配置一导电结构在该介电结构内，该导电结构具有相对的一第一导电表面与一第二导电表面，该第二导电表面从该介电开口露出以形成一接垫；

第三步骤：形成一金属加强层于该第二介电表面上；

第四步骤：配置一芯片，电性连接至该第一导电表面；

第五步骤：形成一散热垫在该金属加强层上；

第六步骤：形成一表面处理层在该散热垫上，其中该表面处理层系为一抗蚀刻层；以及

第七步骤：缩减该金属加强层，且该散热垫形成转移后的散热垫。

2.如权利要求1所述的封装结构的制造方法，其特征在于，在所述第七步骤中，缩减该金属加强层的厚度至移除该金属加强层。

3.如权利要求2所述的封装结构的制造方法，其特征在于，蚀刻该金属加强层以转移而形成该转移后的散热垫。

4.如权利要求2所述的封装结构的制造方法，其特征在于，在所述第四步骤之后，以一封装体封装该芯片。

5.如权利要求1所述的封装结构的制造方法，其特征在于，在所述第七步骤，缩减该金属加强层的厚度以转移该散热垫靠近该介电结构而形成该转移后的散热垫。

6.如权利要求5所述的封装结构的制造方法，其特征在于，缩减该金属加强层包括以微量蚀刻该散热垫。

7.如权利要求5所述的封装结构的制造方法，其特征在于，缩减该金属加强层包括以微量蚀刻该金属加强层以暴露该介电结构。

8.如权利要求1所述的封装结构的制造方法，其特征在于，在所述第三步骤之后更包括：形成一导电凸块在该接垫上，在所述第七步骤中，缩减该金属加强层时同时去除部分导电凸块。

9.如权利要求8所述的封装结构的制造方法，其特征在于，以微量蚀刻的方式缩减该金属加强层及去除该部分导电凸块。

10.如权利要求9所述的封装结构的制造方法，其特征在于，去除该部分导电凸块后形成垫表面，配置一焊料凸块以物性并电性接触该导电凸块。

11.如权利要求1所述的封装结构的制造方法，其特征在于，在所述第三步骤之后更包括：形成一导电凸块在该接垫上，其中该导电凸块经组态以避免一焊料凸块不易填入该介电开口的风险。

12.如权利要求1所述的封装结构的制造方法，其特征在于，该表面处理层系为一抗蚀刻层。

13.一种封装结构，其特征在于，包括：

一基板结构，具有相对的一第一基板表面与一第二基板表面，并包括：

一介电结构，具有相对的一第一介电表面与一第二介电表面，以及位于该第二介电表面的一介电开口；

一导电结构，内埋于该介电结构，并具有相对的一第一导电表面与一第二导电表面，该第二导电表面从该介电开口露出；以及

一导电凸块，配置在该介电开口中，并物性且电性连接该第二导电表面，该导电凸块包括一凹的曲表面；

一散热垫，位在该介电结构的该第二介电表面上；以及

一表面处理层，配置在该散热垫上。

14.如权利要求13所述的封装结构，其特征在于，该表面处理层系为一抗蚀刻层。

15.如权利要求14所述的封装结构，其特征在于，该表面处理层的侧边与该散热垫的侧边对齐。