[发明专利]光电子器件在审
| 申请号： | 201811423086.3 | 申请日： | 2018-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN109868138A | 公开（公告）日： | 2019-06-11 |
| 发明（设计）人： | 方牧怀;胡淑芬;刘如熹;V·拉简德兰;G·N·A·德古茲曼;张合;吕侊懋;林晏申;康桀侑;赖俊铭 | 申请（专利权）人： | 亿光电子工业股份有限公司 |
| 主分类号： | C09K11/80 | 分类号： | C09K11/80;C09K11/67;C09K11/64;C09K11/62;H01L33/50 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 张福根;冯志云 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光电子器件 荧光材料 激发光 红外光 食品成分分析 安全摄像机 半导体芯片 虹膜 反射光谱 辐射通量 工作期间 激光探测 近红外光 面部识别 受激发光 虚拟现实 医学检测 应用需求 波长 笔记本 测量 发射 游戏 激发 应用 | ||
1.一种光电子器件，其特征在于，包括：
半导体芯片，其用于在所述光电子器件工作期间发出激发光；
荧光材料，其受激发光激发下，发射出波长范围600～1500nm的光。
2.根据权利要求1所述的光电子器件，其特征在于，所述荧光材料的化学式为La3Ga5(1-x)M1O14:5xCr3+，其中0.01≤x≤0.1，M1为Si或Ge。
3.根据权利要求1所述的光电子器件，其特征在于，所述荧光材料的化学式为La3(1-x)Ga5(1-y)GeO14:3xSm3+,5yCr3+,其中0.01≤x≤0.5和0.01≤y≤0.1。
4.根据权利要求1所述的光电子器件，其特征在于，所述荧光材料的化学式为Ca3Ga2-xGe3O12:xCr3+，其中0<x≤0.1。
5.根据权利要求1所述的光电子器件，其特征在于，所述荧光材料的化学式为LaGa1-xGe2O7:xCr3+，其中0<x≤0.2。
6.根据权利要求1所述的光电子器件，其特征在于，所述荧光材料的化学式为BaZr1-xSi3O9:xCr3+，其中0<x≤0.1。
7.根据权利要求1所述的光电子器件，其特征在于，所述荧光材料的化学式为Zn3Al2-xGe4O14:2xCr3+，其中0<x≤0.2。
8.根据权利要求1所述的光电子器件，其特征在于，所述荧光材料的化学式为Ca2Ga2(1-x)GeO7:2xCr3+，其中0<x≤0.1。
9.根据权利要求1所述的光电子器件，其特征在于，所述荧光材料的化学式为Zn3Ga2(1-x)GeyO(6+2y):xCr3+，其中0<x≤0.5，y为1-5之间的整数。
10.根据权利要求9所述的光电子器件，其特征在于，所述荧光材料的化学式为Zn3Ga2(1-x)Ge4O14:2xCr3+，其中0<x≤0.2。
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