[发明专利]一种多层背电极及其制备方法和一种太阳能电池

权利要求书

1.一种多层背电极，所述多层背电极包括至少三层Mo膜层，所述至少三层Mo膜层包括：

形成在衬底上的第一Mo膜层，所述第一Mo膜层具有张应力结构；

位于所述多层背电极的表层的第二Mo膜层，所述第二Mo膜层具有张应力结构；以及

形成在所述第一Mo膜层与所述第二Mo膜层之间的第三Mo膜层，所述第三Mo膜层具有压应力结构。

2.根据权利要求1所述的多层背电极，其中，所述多层背电极包括三层Mo膜层，所述三层Mo膜层包括形成在所述衬底上的所述第一Mo膜层、形成在所述第一Mo膜层上的所述第三Mo膜层以及形成在所述第三Mo膜层上的所述第二Mo膜层。

3.根据权利要求1所述的多层背电极，其中，

所述第一Mo膜层与所述第三Mo膜层之间形成有一层或更多层具有张应力结构的Mo膜层和/或具有压应力结构的Mo膜层；和/或

所述第三Mo膜层与所述第二Mo膜层之间形成有一层或更多层具有张应力结构的Mo膜层和/或具有压应力结构的Mo膜层。

4.根据权利要求2或3所述的多层背电极，其中，所述第二Mo膜层的厚度为8nm-20nm。

5.一种制备多层背电极的方法，所述方法包括：

在衬底上形成第一Mo膜层，所述第一Mo膜层具有张应力结构；

在所述第一Mo膜层上形成第三Mo膜层，所述第三Mo膜层具有压应力结构；以及

在所述第三Mo膜层上形成第二Mo膜层，所述第二Mo膜层具有张应力结构。

6.根据权利要求5所述的方法，所述方法还包括：在衬底上形成第一Mo膜层之后，在所述第一Mo膜层上形成第三Mo膜层之前，

在所述第一Mo膜层上形成一层或更多层具有张应力结构的Mo膜层和/或具有压应力结构的Mo膜层，然后在所述一层或更多层具有张应力结构的Mo膜层和/或具有压应力结构的Mo膜层上形成所述第三Mo膜层。

7.根据权利要求5或6所述的方法，所述方法还包括：在形成所述第三Mo膜层之后，在所述第三Mo膜层上形成第二Mo膜层之前，

在所述第三Mo膜层上形成一层或更多层具有张应力结构的Mo膜层和/或具有压应力结构的Mo膜层，然后在所述一层或更多层具有张应力结构的Mo膜层和/或具有压应力结构的Mo膜层上形成所述第二Mo膜层。

8.根据权利要求5或6所述的方法，其中，形成所述第二Mo膜层采用的方法为磁控溅射法。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，采用磁控溅射法形成所述第二Mo膜层时的压力为2Pa-8Pa，溅射功率密度为1.5w/cm²-2w/cm²。

10.一种太阳能电池，所述太阳能电池包括根据权利要求1-4中任一项所述的多层背电极或根据权利要求5-9中任一项所述的方法制备得到的多层背电极。