[发明专利]波长转换构件的制造方法、和波长转换构件

权利要求书

1.一种波长转换构件的制造方法，其包括：

准备将包含Ca-α-赛隆荧光体和氧化铝粒子的混合粉体成形而得的成形体，以及

在1000℃以上且1600℃以下的范围的温度下对所述成形体进行一次烧成，得到第一烧结体。

2.根据权利要求1所述的波长转换构件的制造方法，其中，

所述混合粉体包含钇铝石榴石系荧光体，

所述一次烧成的温度为1000℃以上且1500℃以下的范围。

3.根据权利要求1所述的波长转换构件的制造方法，其包括：

利用热等静压HIP处理，在1000℃以上且1600℃以下的范围的温度下对所述第一烧结体进行二次烧成，得到第二烧结体。

4.根据权利要求2所述的波长转换构件的制造方法，其包括：

利用热等静压HIP处理，在1000℃以上且1500℃以下的范围的温度下对所述第一烧结体进行二次烧成，得到第二烧结体。

5.根据权利要求1或3所述的波长转换构件的制造方法，其中，

所述一次烧成的温度为1200℃以上且1570℃以下的范围。

6.根据权利要求2或4所述的波长转换构件的制造方法，其中，

所述一次烧成的温度为1200℃以上且1450℃以下的范围。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的波长转换构件的制造方法，其中，

所述Ca-α-赛隆荧光体的平均粒径为2μm以上且30μm以下的范围。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的波长转换构件的制造方法，其中，

所述氧化铝粒子的平均粒径为0.1μm以上且1.3μm以下的范围。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的波长转换构件的制造方法，其中，

相对于所述混合粉体100质量％，所述混合粉体以0.1质量％以上且40质量％以下的范围包含所述Ca-α-赛隆荧光体。

10.根据权利要求2、4、6至9中任一项所述的波长转换构件的制造方法，其中，

相对于所述混合粉体100质量％，所述混合粉体以0.1质量％以上且70质量％以下的范围包含所述Ca-α-赛隆荧光体和所述钇铝石榴石系荧光体的合计量。

11.根据权利要求1至10中任一项所述的波长转换构件的制造方法，其中，

所述氧化铝粒子的氧化铝纯度为99.0质量％以上。

12.根据权利要求1至11中任一项所述的波长转换构件的制造方法，其中，

所述第一烧结体的相对密度为80％以上。

13.根据权利要求3至12中任一项所述的波长转换构件的制造方法，其中，

所述第二烧结体的相对密度为90％以上。

14.一种波长转换构件，其包含Ca-α-赛隆荧光体和氧化铝。

15.根据权利要求14所述的波长转换构件，其中，所述Ca-α-赛隆荧光体的含量为0.1质量％以上且40质量％以下。

16.根据权利要求14或15所述的波长转换构件，其还包含钇铝石榴石系荧光体，

且钇铝石榴石系荧光体和Ca-α-赛隆荧光体的合计含量为0.1质量％以上且70质量％以下。

17.根据权利要求14至16中任一项所述的波长转换构件，其相对密度为80％以上。