[发明专利]半导体装置及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

一第一复合III-V族半导体层，设置于一复合基底上；

一第二III-V族半导体层，设置于该第一复合III-V族半导体层上；

一栅极结构，设置于该第二III-V族半导体层上；

一源极电极和一漏极电极，设置于该第二III-V族半导体层上和该栅极结构的相对两侧；

一场板，设置于该栅极结构与该漏极电极之间；以及

一导电结构，穿过该第二III-V族半导体层和该第一复合III-V族半导体层，其中该场板藉由该导电结构与该复合基底电连接且该导电结构藉由一介电层与该源极电极电性隔离。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其中该导电结构的底面高于该复合基底的底面。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其中该第一复合III-V族半导体层包括氮化镓，该第二III-V族半导体层包括氮化铝镓，且该栅极结构包括P型掺杂的氮化镓。

4.如权利要求1所述的半导体装置，其中该导电结构与该栅极结构位于该源极电极的相对两侧。

5.如权利要求1所述的半导体装置，其中该导电结构位于该场板的正下方的范围内。

6.如权利要求1所述的半导体装置，其中该复合基底包括：

一基底；

一缓冲层，设置于该基底上；以及

一晶种层，设置于该缓冲层上，其中该导电结构穿过该缓冲层和该晶种层，且该导电结构接触该基底。

7.如权利要求6所述的半导体装置，其中该基底由氮化铝制成。

8.一种半导体装置，包括：

一第一复合III-V族半导体层，设置于一复合基底上；

一第二III-V族半导体层，设置于该第一复合III-V族半导体层上；

一源极电极、一栅极结构和一漏极电极，设置于该第二III-V族半导体层上，其中该栅极结构位于该源极电极与该漏极电极之间；

一第一场板区，设置于该栅极结构与该漏极电极之间；以及

一第一导电结构，电连接该第一场板区与该复合基底，其中该第一导电结构与该源极电极电性隔离。

9.如权利要求8所述的半导体装置，更包括：

一导孔，设置于该第一场板区上，其中该第一导电结构的顶面高于该第一场板区的顶面，且该第一场板区藉由该导孔与该第一导电结构电连接。

10.如权利要求8所述的半导体装置，其中该复合基底包括：

一氮化铝基底；

一氧化层，设置于该氮化铝基底上；以及

一硅层，设置于该氧化层上，其中该第一导电结构穿过该氧化层和该硅层，且该第一导电结构的底面高于该氮化铝基底的底面。

11.如权利要求8所述的半导体装置，更包括：

一第二场板区和一第三场板区，设置于该栅极结构与该漏极电极之间，其中该第一场板区、该第二场板区和该第三场板区彼此分隔；

一第一导孔，设置于该第一场板区上；

一第二导孔，设置于该第二场板区上；以及

一第三导孔，设置于该第三场板区上，其中该第一场板区、该第二场板区和该第三场板区分别藉由该第一导孔、该第二导孔和该第三导孔电连接于该第一导电结构，且该第一导电结构与该栅极结构位于该源极电极的相对两侧。

12.如权利要求8所述的半导体装置，更包括：

一第二场板区和一第三场板区，设置于该栅极结构与该漏极电极之间，其中该第一场板区、该第二场板区和该第三场板区彼此分隔；以及

一第二导电结构和一第三导电结构，其中该第二导电结构电连接该第二场板区与该复合基底，该第三导电结构电连接该第三场板区与该复合基底，且其中该第一导电结构、该第二导电结构和该第三导电结构分别位于该第一场板区、该第二场板区和该第三场板区的正下方的范围内。