[发明专利]一种晶体管器件以及电子设备有效
| 申请号： | 201811424390.X | 申请日： | 2018-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN109346527B | 公开（公告）日： | 2021-11-09 |
| 发明（设计）人： | 刘召军;王河深 | 申请（专利权）人： | 南方科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 518000 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 晶体管 器件 以及 电子设备 | ||
1.一种晶体管器件，其特征在于，包括依次层叠设置的栅极、栅极绝缘层、有源层以及源漏极层；
所述源漏极层包括彼此间隔设置的源极和漏极；所述源极覆盖部分所述有源层以及部分所述栅极绝缘层；所述漏极覆盖部分所述有源层以及部分所述栅极绝缘层；所述源极在所述栅极绝缘层上的垂直投影与所述漏极在所述栅极绝缘层上的垂直投影不重合；
所述栅极绝缘层包括电解质；
所述晶体管器件还包括保护层；所述保护层位于所述源极和所述栅极绝缘层之间；和/或，所述保护层位于所述漏极和所述栅极绝缘层之间；
所述保护层还位于所述有源层与所述源漏极层之间；
所述保护层在所述栅极绝缘层上的垂直投影位于所述源漏极层在所述栅极绝缘层上的垂直投影内。
2.根据权利要求1所述的晶体管器件，其特征在于，所述电解质包括固体电解质或液体电解质。
3.根据权利要求2所述的晶体管器件，其特征在于，所述电解质包括固体电解质；
所述固体电解质包括高氯酸锂、高砷酸锂、六氟磷酸锂或四氟硼酸锂。
4.根据权利要求3所述的晶体管器件，其特征在于，所述栅极绝缘层的厚度为d1，1μm≤d1≤0.5mm。
5.根据权利要求1所述的晶体管器件，其特征在于，所述有源层的材料包括石墨烯、过渡金属硫族化合物或黑磷。
6.根据权利要求1所述的晶体管器件，其特征在于，所述有源层的厚度为d2，0.3nm≤d2≤50nm。
7.根据权利要求1所述的晶体管器件，其特征在于，所述保护层的材料包括二氧化硅、二氧化锆或三氧化二铝。
8.根据权利要求1所述的晶体管器件，其特征在于，所述保护层的厚度为d3，5nm≤d3≤500nm。
9.一种电子设备，其特征在于，包括权利要求1-8任一项所述的晶体管器件。
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