[发明专利]在基板中嵌入磁结构的方法在审
| 申请号： | 201811424485.1 | 申请日： | 2018-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN109979916A | 公开（公告）日： | 2019-07-05 |
| 发明（设计）人： | S.瓦德拉马尼;P.查特杰;R.A.梅伊;R.S.贾因;L.A.林克;A.J.布朗;K.O.李;S.C.李 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L23/532;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 杜荔南;申屠伟进 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 磁性材料 互连结构 基板 开口 感应器结构 方法描述 介电材料 磁结构 堆积层 嵌入式 嵌入 | ||
1.一种微电子封装结构，包括：
包括介电材料的基板；
在所述介电材料内的第一互连结构；
磁性材料，其中所述磁性材料的第一侧面在所述第一互连结构的第一侧面上；以及
在所述磁性材料内的第二互连结构，其中：
所述第二互连结构的第一侧面在所述第一互连结构的第一侧面上；以及
所述第二互连结构的第二侧面与所述磁性材料的第二侧面是共面的。
2.根据权利要求1所述的微电子封装结构，其中所述磁性材料包括矩形形状，并且其中所述第一互连结构的侧壁是线性的。
3.根据权利要求1所述的微电子封装结构，其中种子层在所述磁性材料与所述第二互连结构的侧壁之间。
4.根据权利要求1所述的微电子封装结构，其中所述第二互连结构的第一侧面直接在所述第一互连结构的第一侧面上，并且其中所述磁性材料的第二侧面在所述介电材料上。
5.根据权利要求1所述的微电子封装结构，其中所述磁性材料包括磁性膏，其中所述磁性膏包括载体，以及磁性材料。
6.如在权利要求1中所述的微电子封装结构，其中所述磁性材料包括嵌入式感应器结构的一部分。
7.根据权利要求1所述的微电子封装结构，其中所述磁性材料包括铁、镍、钴或钼、它们的合金及其组合中的一种或多种。
8.根据权利要求1所述的微电子封装结构，其中所述基板包括与其电学地耦合的管芯。
9.根据权利要求1所述的微电子封装结构，其中堆积层在所述磁性材料上。
10.一种微电子封装结构，包括：
包括介电材料的基板；
在所述介电材料内的磁性材料，所述磁性材料包括第一侧面和第二侧面；
在所述磁性材料的第一侧面上的第一互连结构，其中所述第一互连结构的第一侧面在所述磁性材料内，并且其中所述第一互连结构的第二侧面在所述介电材料上；以及
在第一互连结构的第一侧面上的第二互连结构，其中所述第二互连结构至少部分地嵌入在所述磁性材料内。
11.根据权利要求10所述的微电子封装结构，其中所述磁性材料包括磁性膏，其中所述磁性膏包括铁、镍和铁与镍的合金，以及载体。
12.根据权利要求10所述的微电子封装结构，其中所述第一互连结构包括焊盘，并且所述第二互连结构包括通孔。
13.根据权利要求10所述的微电子封装结构，其中所述第一互连结构的第二侧面与所述介电材料是共面的。
14.根据权利要求10所述的微电子封装结构，其中所述磁性材料的第一侧壁直接在所述介电材料上，并且所述磁性材料的第二侧壁直接在所述介电材料上。
15.根据权利要求10所述的微电子封装结构，其中所述基板包括核心，并且其中所述磁性材料在所述核心的上面。
16.根据权利要求12所述的微电子封装结构，其中矩形铜结构的第一侧面在所述磁性材料的侧壁上并且邻近所述第一互连结构。
17.如权利要求1所述的微电子封装结构，进一步包括：
微处理器；
存储器；以及
电池，其中至少所述微处理器电学地耦合到所述基板。
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