[发明专利]电致发光显示装置有效
申请号: | 201811424612.8 | 申请日: | 2018-11-27 |
公开(公告)号: | CN109994514B | 公开(公告)日: | 2022-11-18 |
发明(设计)人: | 崔墉辉;具沅会;尹优览 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 蔡胜有;苏虹 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 电致发光 显示装置 | ||
1.一种电致发光显示装置,包括:
设置在基板上的薄膜晶体管;
设置在所述薄膜晶体管上的钝化层;
复数个金属图案,所述复数个金属图案设置成在所述钝化层上彼此间隔开;
反射电极,其沿着所述钝化层的顶表面和所述复数个金属图案的形状设置,并且包括复数个突出部分;
外涂层,其设置在所述钝化层和所述反射电极上,并且包括开口,所述开口被配置成使所述复数个突出部分中的每一个的顶表面露出;
第一电极,其设置在所述反射电极和所述外涂层上,并且电连接至所述反射电极;
设置在所述第一电极上的发光层;以及
设置在所述发光层上的第二电极。
2.根据权利要求1所述的电致发光显示装置,其中所述复数个金属图案中的每一个包括:第一表面,所述第一表面接触所述复数个突出部分中的每一个的顶表面部分;第二表面,所述第二表面接触所述钝化层并且具有大于所述第一表面的面积的面积;以及连接所述第一表面与所述第二表面的第一倾斜表面和第二倾斜表面。
3.根据权利要求1所述的电致发光显示装置,其中所述复数个金属图案中的相邻两个金属图案之间的距离在0.5μm至2μm的范围内。
4.根据权利要求1所述的电致发光显示装置,其中所述复数个金属图案的高度在0.5μm至1μm的范围内。
5.根据权利要求2所述的电致发光显示装置,其中所述第一表面的长度在1μm至5μm的范围内。
6.根据权利要求2所述的电致发光显示装置,其中在所述第二表面相对所述第一倾斜表面和所述第二倾斜表面中的每一个之间形成的角度在20°至70°的范围内。
7.根据权利要求2所述的电致发光显示装置,其中所述第一电极、所述发光层和所述第二电极被设置成在发光区域中是平坦的。
8.根据权利要求1所述的电致发光显示装置,其中所述反射电极电连接至所述薄膜晶体管。
9.根据权利要求1所述的电致发光显示装置,其中所述第一电极电连接至所述薄膜晶体管。
10.一种电致发光显示装置,包括:
包括一个或更多个像素的基板;
设置在所述像素中的每一个中的发光结构,其包括第二电极、反射电极和设置在所述第二电极与所述反射电极之间的发光层,以及设置在所述发光层与所述反射电极之间的任选的第一电极;
所述像素中的每一个包括设置成彼此间隔开的复数个微腔区域MCA以及设置在所述微腔区域MCA之间的一个或更多个非微腔区域NMCA,沿所述发光结构的垂直方向从所述反射电极到所述第二电极在所述微腔区域MCA中的总厚度相比于在所述非微腔区域NMCA中的总厚度具有不同的值,所述发光结构被配置为产生微腔效应,以及所述第一电极,所述第二电极和所述反射电极中的每一者形成为在所述微腔区域MCA中是平坦的,所述第一电极,所述第二电极和所述反射电极中的至少一者形成为在所述非微腔区域NMCA中包括非平坦表面。
11.根据权利要求10所述的电致发光显示装置,其中沿所述发光结构的垂直方向从所述反射电极到所述第二电极在所述微腔区域MCA中的总厚度相比于在所述非微腔区域NMCA中的总厚度具有更小的值。
12.根据权利要求10所述的电致发光显示装置,其中所述复数个微腔区域MCA中的每一个均形成为在一个或每个像素中彼此间隔开地设置的具有圆形、矩形、正方形、菱形、六边形或其他多边形的形状。
13.根据权利要求10至12中任一项所述的电致发光显示装置,其中反射电极包括在所述非微腔区域NMCA中朝向所述发光层的倾斜表面。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于乐金显示有限公司,未经乐金显示有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811424612.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的