[发明专利]带保护功能的增强型GaN功率器件栅驱动电路

权利要求书

1.一种带保护功能的增强型GaN功率器件栅驱动电路，其特征是：包括接口电路H、接口电路L、死区产生电路、电平移位电路、低端延迟匹配电路、驱动电路H、驱动电路L、欠压封锁电路H、欠压封锁电路L、过流保护电路和过热保护电路；

所述带保护功能的增强型GaN功率器件栅驱动电路的连接关系为：接口电路H的正负逻辑输出端连接到死区产生电路的第一和第二输入端；接口电路L的正负逻辑输出端连接到死区产生电路的第三和第四输入端；欠压封锁电路L的检测输出端连接到死区产生电路的第五输入端；过流保护电路的检测输出端连接到死区产生电路的第六输入端；过热保护电路的检测输出端连接到死区产生电路的第七输入端；欠压封锁电路H的检测输出端连接到死区产生电路的第八输入端；死区产生电路的第一输出端连接到电平移位电路的控制信号输入端，死区产生电路的第二输出端连接到低端延迟匹配电路的控制信号输入端；电平移位电路的信号输出端连接到驱动电路H；低端延迟匹配电路的信号输出端连接到驱动电路L；

所述电平移位电路、驱动电路H和欠压封锁电路H构成的H端驱动模块，H端驱动模块需要做在一个具有浮动电位的高压阱中；

所述过流保护电路包括2个电流检测电阻、5个偏置电阻、1个电压钳位二极管Z101、1个整流二极管D101、1个滤波电容C101、2个三极管、7个NMOS管和6个PMOS管；

所述过流保护电路连接关系为：第一电流检测电阻Rd1的上端连接到第二电流检测电阻Rd2的上端，还连接到第一三极管Q1的基极和待检测电流输入端；第一电流检测电阻Rd1的下端连接到第二电流检测电阻Rd2的下端，还连接到地电平；第一三极管Q1的集电极连接到第一零六NMOS管M106的源端，第一三极管Q1的发射极连接到第一零三偏置电阻R103的上端和第二三极管Q2的发射极；第二三极管Q2的基极连接第一零二偏置电阻R102的上端和第一零一偏置电阻R101的下端；第一零二偏置电阻R102的下端连接到地电平；第一零一偏置电阻R101的上端连接第一零五偏置电阻R105的下端和电压钳位二极管Z101的阳极；电压钳位二极管Z101的负端连接到地电平；第一零五偏置电阻R105的上端接电源电压；第一零六NMOS管M106的漏端连接到第一零一PMOS管M101的漏端和栅端，还连接到第一零二PMOS管M102的栅端和第一零四PMOS管M104的栅端；第一零二PMOS管M102的漏端连接到第一零七NMOS管M107的漏端，还连接到第一零三PMOS管M103的漏端和栅端，还连接到第一零五PMOS管M105的栅端；第一零四PMOS管M104的漏端连接到第一零八NMOS管M108的漏端；第一零五PMOS管M105的漏端连接到第一零九NMOS管M109的漏端；第一零八NMOS管M8的源端连接到第一一零NMOS管M110的漏端，还连接到第一一三NMOS管M113和第一一二PMOS管M112的栅端；第一零九NMOS管M109的源端连接到第一一一NMOS管M111的漏端和栅端；第一一三NMOS管M113的和第一一二PMOS管M112漏端相连，并输出判别信号OC；滤波电容C101的下端接地电平，滤波电容C101的上端连接到第一零四偏置电阻R104的下端和整流二极管D1的阳极，滤波电容C101的上端还连接到第一零六NMOS管M106、第一零七NMOS管M107、第一零八NMOS管M108和第一零九NMOS管M109的栅端，滤波电容C101的上端还连接到第一一二PMOS管M112的源端；除第一一二PMOS管M112以外的其余PMOS管的源端均接电源电压；第一一一NMOS管M111、第一零一NMOS管M113和第一一零NMOS管M110的源端均接地电平；所有PMOS管的衬底均接电源电压，所有NMOS管的衬底均接地电平。