[发明专利]晶片的分割方法和晶片的分割装置在审
申请号: | 201811424973.2 | 申请日: | 2018-11-27 |
公开(公告)号: | CN109860110A | 公开(公告)日: | 2019-06-07 |
发明(设计)人: | 中村胜 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78;H01L21/67;H01L21/683 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 乔婉;于靖帅 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶片 粘接带 分割装置 芯片 分割 晶片保持部 环状框架 晶片分割 收缩 作用吸引力 分割起点 收纳 固定部 固定面 载置 加热 松弛 吸引 | ||
提供晶片的分割方法和晶片的分割装置,将形成有分割起点的晶片分割成各个芯片,并将相邻的芯片彼此之间的间隔维持为分割时的间隔。分割方法包含如下工序:载置工序,将借助粘接带(6)被收纳于环状框架(4)的晶片(2)载置于分割装置(12);扩展工序,在不对晶片作用吸引力的状态下使远离单元(18)进行动作而使粘接带扩展,从而将晶片分割成各个芯片并在相邻的芯片彼此之间形成间隔;吸引保持工序,在粘接带已扩展的状态下使晶片保持部的吸引力进行作用而对晶片进行吸引保持;和收缩工序,使晶片保持部和框架固定部(16)相对地接近并对晶片与环状框架之间的产生了松弛的粘接带进行加热而使粘接带收缩直至保持面与固定面成为同一平面。
技术领域
本发明涉及晶片的分割方法和晶片的分割装置,将沿着分割预定线形成有分割起点的晶片分割成各个芯片,并且维持相邻的芯片彼此之间的间隔。
背景技术
由交叉的多条分割预定线划分而在正面上形成有IC、LSI等多个器件的晶片在通过激光加工装置沿着分割预定线形成了分割起点之后被赋予外力而分割成各个器件的芯片,分割得到的各芯片被用于移动电话、个人计算机等电子设备。
激光加工装置存在下述类型(1)至(3),可根据被加工物的种类、加工精度等选择激光加工装置。
类型(1):将对于被加工物具有吸收性的波长的脉冲激光光线照射至被加工物而通过烧蚀加工形成作为分割起点的槽(例如,参照专利文献1)。
类型(2):将对于被加工物具有透过性的波长的脉冲激光光线的聚光点定位于被加工物的内部而将激光光线照射至被加工物,在被加工物的内部形成作为分割起点的改质层(例如,参照专利文献2)。
类型(3):将对于被加工物具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位于被加工物的内部而将脉冲激光光线照射至被加工物,形成作为分割起点的由细孔和围绕细孔的非晶质区域构成的多个盾构隧道(例如,参照专利文献3)。
并且,沿着分割预定线形成有分割起点的晶片通过分割装置分割成各个器件的芯片(例如,参照专利文献4)。在专利文献4记载的分割装置中,在将晶片分割成各个器件的芯片时,将沿着分割预定线形成有分割起点的晶片借助粘接带收纳于具有开口的环状框架上,将晶片载置于分割装置的晶片保持部,并且利用框架固定部对环状框架进行固定。接着,使晶片保持部和框架固定部相对地远离,从而使粘接带扩展而对晶片作用放射状张力。由此,能够将沿着分割预定线形成有分割起点的晶片分割成各个器件的芯片,并且能够在相邻的芯片彼此之间形成间隔。
专利文献1:日本特开平10-305420号公报
专利文献2:日本特许第3408805号公报
专利文献3:日本特开2014-221483号公报
专利文献4:日本特开2005-129607号公报
但是,存在如下的问题:当在已将晶片分割成各个芯片的状态下使晶片保持部的吸引力进行作用而对晶片进行吸引保持然后使晶片保持部的保持面与框架固定部的固定面接近直至成为同一平面时,在接近的过程中会在处于晶片与环状框架之间的粘接带上产生松弛,会从粘接带与保持面之间泄漏空气而使保持面的吸引力降低,其结果是,芯片彼此接近而无法维持分割时所形成的芯片彼此之间的间隔。
发明内容
由此,本发明的目的在于提供晶片的分割方法和晶片的分割装置,能够将形成有分割起点的晶片分割成各个芯片,并且能够将相邻的芯片彼此之间的间隔维持为分割时的间隔。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造