[发明专利]显示基板及其制作方法、显示装置

说明书

本发明提供了一种显示基板及其制作方法、显示装置，属于显示技术领域。本发明的技术方案能够兼顾薄膜晶体管的性能和金属布线的密度。显示基板的制作方法包括：形成导电层，在所述导电层上形成第一光刻胶图形和第二光刻胶图形，所述第一光刻胶图形与所述导电层的黏附性小于所述第二光刻胶图形与所述导电层的黏附性；以所述第一光刻胶图形和所述第二光刻胶图形为掩膜对所述导电层进行刻蚀，分别形成第一导电图形和第二导电图形，所述第一导电图形与所述第一光刻胶图形的线宽差值大于所述第二导电图形与所述第二光刻胶图形的线宽差值。本发明的技术方案用于制作显示基板。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别是指一种显示基板及其制作方法、显示装置。

背景技术

顶栅型TFT(薄膜晶体管)具有短沟道的特点，所以其开态电流Ion得以有效提升，因而在应用于显示基板中时，可以显著提升显示效果并且能有效降低功耗。并且顶栅型TFT的栅极与源极和漏极的重叠面积小，因而产生的寄生电容较小，所以发生GDS(栅极与漏极短路)等不良的可能性也降低。由于顶栅型TFT具有上述显著优点，所以越来越受到人们的关注。

在顶栅型AMOLED(有源矩阵有机发光二极体)产品电路设计中，经常采用3T1C结构，并且使用IGZO半导体做有源层。在实际工艺过程中，需要在完成Gate(栅极)的构图工艺后，不剥离Gate上方的光刻胶，采用自对准工艺对Gate下方的栅绝缘层进行刻蚀，然后紧接着进行有源层的导体化工艺，为了防止导体化过程中He等离子体在沟道内的横向扩散和上方Gate的金属原子通过有源层两端向沟道内扩散，需要将Gate刻蚀后的线宽与上方残留的光刻胶的线宽的差值做的比较大，即形成的CD bias(关键尺寸偏差)较大，这样光刻胶可以更好地保护Gate下方的栅绝缘层免于刻蚀，进而对有源层的导体化工艺起到一定的保护限制作用，可以有效避免有源层导体化过程中He等离子体在沟道内的横向扩散和上方Gate的金属原子通过有源层两端向沟道内扩散，确保薄膜晶体管性能的稳定性。

但随着显示产品逐渐向大尺寸和高PPI(像素密度)发展，金属布线的密度越来越大，这就需要曝光后形成的光刻胶的线宽尺寸与刻蚀后形成的金属走线的线宽尺寸越接近越好，即CD bias越小越好。但是现有技术在利用同一层金属制作薄膜晶体管的栅极以及栅极走线时，制作栅极的CD bias与制作栅极走线的CD bias是相同的，导致无法兼顾薄膜晶体管的性能和金属布线的密度。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种显示基板及其制作方法、显示装置，能够兼顾薄膜晶体管的性能和金属布线的密度。

为解决上述技术问题，本发明的实施例提供技术方案如下：

一方面，提供一种显示基板的制作方法，包括：

形成导电层，在所述导电层上形成第一光刻胶图形和第二光刻胶图形，所述第一光刻胶图形与所述导电层的黏附性小于所述第二光刻胶图形与所述导电层的黏附性；

以所述第一光刻胶图形和所述第二光刻胶图形为掩膜对所述导电层进行刻蚀，分别形成第一导电图形和第二导电图形，所述第一导电图形与所述第一光刻胶图形的线宽差值大于所述第二导电图形与所述第二光刻胶图形的线宽差值。

进一步地，所述第一导电图形在所述显示基板的衬底基板上的正投影落入所述第一光刻胶图形在所述衬底基板上的正投影内，所述第二导电图形在所述显示基板的衬底基板上的正投影落入所述第二光刻胶图形在所述衬底基板上的正投影内。

进一步地，所述第一导电图形在延伸方向上的中轴线在所述衬底基板上的正投影与所述第一光刻胶图形在延伸方向上中轴线在所述衬底基板上的正投影重合；

和/或

所述第二导电图形在延伸方向上的中轴线在所述衬底基板上的正投影与所述第二光刻胶图形在延伸方向上中轴线在所述衬底基板上的正投影重合。