[发明专利]多相半桥驱动器封装以及制造方法有效
申请号: | 201811424992.5 | 申请日: | 2018-11-27 |
公开(公告)号: | CN109841598B | 公开(公告)日: | 2023-05-16 |
发明(设计)人: | 张超发;谢征林;W.H.古;A.库切尔;龙登超 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/552 | 分类号: | H01L23/552;H01L23/31;H01L23/367;H01L23/49;H01L25/07;H01L21/56 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 孙鹏;申屠伟进 |
地址: | 德国瑙伊比*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 多相 驱动器 封装 以及 制造 方法 | ||
1.一种半导体封装,包括:
多个半桥,每个包括设置在第二功率晶体管管芯上的第一功率晶体管管芯;
附着至每个半桥的第一功率晶体管管芯的底侧以及第二功率晶体管管芯的顶侧的单独的第一金属引线;
附着至每个半桥的第一功率晶体管管芯的顶侧的单独的第二金属引线;以及
模塑料,其中嵌入每个半桥和每个金属引线,
其中每个第一金属引线从模塑料的侧面突出以形成半桥输出端子,
其中每个第二金属引线从模塑料的侧面突出以形成第一半桥功率端子,
其中每个半桥的第二功率晶体管管芯的底侧的至少一部分没有被在模塑料的第一主面处的模塑料覆盖以形成第二半桥功率端子,
其中每个第二金属引线的至少一部分没有被在与第一主面相对的模塑料的第二主面处的模塑料覆盖,
其中每个第一金属引线具有缺口,其暴露在第二功率晶体管管芯的附着至那个第一金属引线的顶侧处的一个或多个结合焊盘。
2.根据权利要求1所述的半导体封装,其中三个半桥嵌入模塑料中,其中两个第一金属引线从模塑料的第一侧面突出,并且其中单个第一金属引线从与第一侧面相对的模塑料的第二侧面突出。
3.根据权利要求2所述的半导体封装,其中单独的第二金属引线在两个位置中从模塑料的第三侧面突出,并且在单个位置中从与第三侧面相对的模塑料的第四侧面突出。
4.根据权利要求1所述的半导体封装,其中没有被模塑料覆盖的每个第二功率晶体管管芯的底侧的该部分具有在模塑料的第一主面处暴露的裸半导体材料。
5.根据权利要求1所述的半导体封装,其中该多个半桥形成多相无刷DC电动机驱动器。
6.根据权利要求1所述的半导体封装,其中该多个半桥形成多相功率转换器驱动器。
7.根据权利要求1所述的半导体封装,进一步包括嵌入模塑料中并且被配置成控制多个半桥的控制器管芯。
8.根据权利要求7所述的半导体封装,进一步包括在由对应第一金属引线中的缺口所暴露的每个第二功率晶体管管芯的顶侧处的一个或多个结合焊盘与控制器管芯之间的结合线连接。
9.根据权利要求1所述的半导体封装,其中该模塑料包括在模塑料的第二主面的外围周围形成的脊。
10.根据权利要求9所述的半导体封装,进一步包括设置在模塑料的第二主面上且通过脊限制的导热且电绝缘材料。
11.一种半导体封装,包括:
多个半桥组件,每个包括:金属引线、附着至金属引线的第一侧的第一功率晶体管管芯、以及设置在第一功率晶体管管芯下面且附着至与第一侧相对的金属引线的第二侧的第二功率晶体管管芯,每个金属引线具有缺口,其暴露在第二功率晶体管管芯的附着至金属引线的一侧处的一个或多个结合焊盘;
控制器管芯,其被配置成控制第一功率晶体管管芯和第二功率晶体管管芯;
模塑料,其中嵌入每个功率晶体管管芯、每个金属引线和控制器管芯;以及
在由对应金属引线中的缺口所暴露的每个第二功率晶体管管芯的该侧处的一个或多个结合焊盘与控制器管芯之间的结合线连接。
12.根据权利要求11所述的半导体封装,其中每个第二功率晶体管管芯的至少一部分没有被在模塑料的第一主面处的模塑料覆盖,以使得在模塑料的第一主面处暴露裸半导体材料。
13.一种半导体封装,包括:
多个半桥,每个包括设置在第二功率晶体管管芯上的第一功率晶体管管芯;
附着至第一功率晶体管管芯的底侧并且到每个半桥的第二功率晶体管管芯的顶侧的单独的第一金属引线;
附着至每个半桥的第一功率晶体管管芯的顶侧的单独的第二金属引线;以及
每个半桥和每个金属引线嵌入其中的模塑料,
其中每个第一金属引线从模塑料的侧面突出以形成半桥输出端子,
其中每个第二金属引线从模塑料的侧面突出以形成第一半桥功率端子,
其中每个半桥的第二功率晶体管管芯的底侧的至少一部分没有被在模塑料的第一主面处的模塑料覆盖以形成第二半桥功率端子,
其中每个第二金属引线的至少一部分没有被在与第一主面相对的模塑料的第二主面处的模塑料覆盖,
其中没有被模塑料覆盖的每个第二功率晶体管管芯的底侧的该部分具有在模塑料的第一主面处暴露的裸半导体材料。
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