[发明专利]截面加工观察方法、带电粒子束装置有效
申请号: | 201811425291.3 | 申请日: | 2018-11-27 |
公开(公告)号: | CN109841534B | 公开(公告)日: | 2023-08-01 |
发明(设计)人: | 满欣 | 申请(专利权)人: | 日本株式会社日立高新技术科学 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 黄纶伟;孙明浩 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 截面 加工 观察 方法 带电 粒子束 装置 | ||
提供截面加工观察方法、带电粒子束装置,能够容易并且准确地形成用于观察试样的内部的观察用截面。该截面加工观察方法的特征在于,具有如下的工序:设计数据取得工序,取得具有三维立体构造物的试样的所述三维立体构造物的设计数据;移动工序,根据所述设计数据的坐标信息使所述试样移动;表面观察工序,取得所述试样的表面的观察像;截面形成工序,对所述试样的所述表面照射离子束,形成所述三维立体构造物的截面;截面观察工序,取得所述截面的观察像;以及显示工序,显示所述设计数据中的与所述表面和所述截面相当的位置的表面和截面的图像数据。
技术领域
本发明涉及在观察半导体器件等具有三维立体构造物的试样的内部时对试样的观察用截面进行加工的截面加工观察方法以及用于进行截面加工的带电粒子束装置。
背景技术
例如,在观察半导体器件等具有三维立体构造物的试样的内部的情况下,如下进行:利用聚焦离子束(Focused Ion Beam:FIB)使试样断裂而形成三维立体构造物的任意的观察用截面,使用电子显微镜来观察该截面。关于这样的观察用截面,例如在想要观察试样的缺陷部分的情况下,通过缺陷检查装置等来确定其位置,根据所取得的位置信息而进行截面加工。
公开了根据这样的试样的CAD数据等和试样表面的观察像而进行加工定位的技术(例如,参照专利文献1)。通过将试样的CAD数据等与二次带电粒子像关联起来而能够进行带电粒子束装置的加工定位。
此外,关于FIB-SEM装置,公开了如下的技术:重复截面加工和观察,根据截面像来检测加工终点(例如,参照专利文献2)。能够通过测定FIB加工后的SEM观察像中的特殊构造的端部之间的距离来检测FIB加工终点。
专利文献1:日本特开2006-155984号公报
专利文献2:日本特开平11-273613号公报
在上述的专利文献1中,CAD数据等与试样表面的位置关系被关联起来,但由于无法直接观察试样内部的观察目标,因此无法在试样的深度方向上进行关联。因此,有可能对观察对象进行了加工,或者切出了不包含观察对象在内的试样片。
此外,在专利文献2中,如果观察对象小于切片宽度,则有时无法对观察对象进行SEM观察,因此无法准确地进行终点检测。因此,有可能对观察对象进行了加工。
发明内容
本发明是鉴于上述那样的课题而完成的,其目的在于,提供能够容易并且准确地形成用于观察试样的内部的观察用截面的截面加工观察方法以及用于进行截面加工的带电粒子束装置。
为了解决上述课题,本发明的几个方式提供了以下这样的截面加工观察方法和带电粒子束装置。
即,本发明的截面加工观察方法的特征在于,具有如下的工序:设计数据取得工序,取得具有三维立体构造物的试样的所述三维立体构造物的设计数据;移动工序,根据所述设计数据的坐标信息使所述试样移动;表面观察工序,取得所述试样的表面的观察像;截面形成工序,对所述试样的所述表面照射离子束,形成所述三维立体构造物的截面;截面观察工序,取得所述截面的观察像;以及显示工序,显示所述设计数据中的与所述表面和所述截面相当的位置的表面和截面的图像数据。
根据本发明,在使断裂位置移动而对试样进行加工时,通过显示截面的观察像和截面的图像数据,无需预先设置加工标记等,能够通过简易的工序并且准确地自动进行去除直至达到试样的观察目标截面,能够容易地加工出观察目标截面露出的试样。
此外,本发明优选为,所述截面加工观察方法具有如下的工序:新截面形成工序,按照预先设定的切片宽度对所述截面进行切片加工,从而形成新的截面;以及更新工序,对所述设计数据中的与所述新的截面相当的位置的截面的图像数据进行更新。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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