[发明专利]硫族化物存储器装置组件和组合物在审

专利信息
申请号: 201811426027.1 申请日: 2018-11-27
公开(公告)号: CN111223507A 公开(公告)日: 2020-06-02
发明(设计)人: 保罗·凡蒂尼;F·丹尼尔·吉利;恩里科·瓦雷西;斯瓦帕尼尔·A·朗加德 申请(专利权)人: 美光科技公司
主分类号: G11C11/56 分类号: G11C11/56
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 王龙
地址: 美国爱*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 硫族化物 存储器 装置 组件 组合
【说明书】:

本申请涉及硫族化物存储器装置组件和组合物。描述了与硫族化物存储器组件和组合物相关或使用硫族化物存储器组件和组合物的系统、装置和方法。一种存储器装置,例如选择器装置,能够由硫族化物材料组合物制成。硫族化物材料能够具有包含来自硼族的一或多个元素的组合物,例如硼、铝、镓、铟或铊。举例来说,选择器装置能够具有硒、砷与硼、铝、镓、铟或铊中的至少一个的组合物。所述选择器装置还能够由锗或硅或这两者构成。硼、铝、镓、铟或铊的相对量能够影响存储器组件的阈值电压,且能够相应地选择相对量。举例来说,存储器组件能够具有包含硒、砷和锗、硅与硼、铝、镓、铟或铊的某一组合的组合物。

技术领域

技术领域涉及硫族化物存储器装置组件和组合物。

背景技术

下文大体上涉及存储器装置,且更具体地说,涉及硫族化物存储器装置组件和化学方法。

存储器装置广泛地用于将信息存储在例如计算机、无线通信装置、相机、数字显示器等各种电子装置中。通过编程存储器装置的不同状态来存储信息。举例来说,二进制装置具有常常由逻辑“1”或逻辑“0”表示的两种状态。在其它系统中,可存储多于两种状态。为了存取所存储信息,电子装置的组件可读取或感测存储器装置中所存储的状态。为了存储信息,电子装置的组件可写入或编程存储器装置中的状态。

存在多种类型的存储器装置,包含磁性硬盘、随机存取存储器(random accessmemory,RAM)、动态RAM(dynamic RAM,DRAM)、同步动态RAM(synchronous dynamic RAM,SDRAM)、铁电RAM(ferroelectric RAM,FeRAM)、磁性RAM(magnetic RAM,MRAM)、电阻式RAM(resistive RAM,RRAM)、只读存储器(read only memory,ROM)、快闪存储器、相变存储器(phase change memory,PCM)等。存储器装置可以是易失性或非易失性的。非易失性存储器,例如FeRAM,可维持其所存储的逻辑状态很长一段时间,即使无外部电源存在也是这样。除非被外部电源定期刷新,否则易失性存储器装置,例如DRAM,可能随时间推移而丢失其存储的状态。改进存储器装置可包含增大存储器单元密度、增大读取/写入速度、提高可靠性、增强数据保持、降低功率消耗或降低制造成本等其它度量标准。

硫族化物材料组合物可用于PCM装置的组件或元件中。这些组合物可具有阈值电压,其在阈值电压下变得导电(即,其接通以允许电流流动)。阈值电压可随时间推移而改变,这可被称作漂移。具有更高电压漂移倾向的组合物可限制使用那些组合物的装置的有用性和性能。

发明内容

描述了一种物质组合物。在一些实例中,所述组合物可包含相对于所述组合物的总重量按重量计呈大于或等于40%的量的硒、相对于所述组合物的所述总重量按重量计呈范围介于10%到35%的量的砷、及相对于所述组合物的所述总重量按重量计呈范围介于0.15%到35%的量的选自由硼、铝、镓、铟和铊组成的群组的至少一个元素。

描述了一种设备。在一些实例中,所述设备可包含存储器元件和与所述存储器元件耦合的选择器装置,其中所述选择器装置具有包括以下各项的组合物:相对于所述组合物的总重量按重量计呈大于或等于40%的量的硒、相对于所述组合物的所述总重量按重量计呈范围介于10%到35%的量的砷、和相对于所述组合物的所述总重量按重量计呈范围介于0.15%到35%的量的选自由硼、铝、镓、铟和铊组成的群组的至少一个元素。

描述了一种设备。在一些实例中,所述设备可包含第一存取线、第二存取线和存储器单元,所述存储器单元包含包括硒、砷与硼、铝、镓、铟或铊中的至少一个的组合物的第一硫族化物材料,其中所述第一存取线通过所述存储器单元与所述第二存取线电子通信。

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