[发明专利]一种薄膜滤光片的低温制备方法

权利要求书

1.一种薄膜滤光片的低温制备方法，其特征在于，采用真空镀膜机，包括：真空室、设置在所述真空室内的滤光片工件架以及设置在所述真空室内的薄膜材料蒸发源；其特征在于，所述的薄膜材料蒸发源和滤光片工件架之间并紧靠所述滤光片工件架处设置有一对电极，所述的一对电极与设置在所述真空室外的交流高电压源电连接；

该方法包括以下步骤：

1)镀膜基底为对高温敏感而必须采用低温制备的材料，高温为100～350℃，低温为30℃～70℃，将镀膜基底安装在滤光片工件架上，选用冰晶石Na₃AlF₆作为低折射率材料，低折射率材料采用电阻加热蒸发源蒸发，选用硫化锌ZnS作为高折射率材料，高折射率材料采用电子束蒸发源蒸发；

2)通过电阻加热蒸发源和电子束蒸发源蒸发在镀膜基底上制备低折射率膜层和高折射率膜层，在制备过程中，交流高电压源为一对电极提供交流高电压，所述的交流高电压的频率为40Hz～60Hz、电压为3.2～3.6KV，完成薄膜滤光片的制备。

2.根据权利要求1所述的薄膜滤光片的低温制备方法，其特征在于，所述的薄膜材料蒸发源包括电阻加热蒸发源和电子束蒸发源。

3.根据权利要求1所述的薄膜滤光片的低温制备方法，其特征在于，所述的一对电极离所述滤光片工件架的距离为20～100mm。

4.根据权利要求1所述的薄膜滤光片的低温制备方法，其特征在于，所述的一对电极由两个半圆环组成，该两个半圆环对称分离开20～100mm。

5.根据权利要求4所述的薄膜滤光片的低温制备方法，其特征在于，所述的两个半圆环的半径均为100～600mm。

6.根据权利要求4所述的薄膜滤光片的低温制备方法，其特征在于，所述的两个半圆环均由厚度0.5～2mm的纯铝板制成，所述的两个半圆环由纯铝箔包裹。

7.根据权利要求6所述的薄膜滤光片的低温制备方法，其特征在于，所述的纯铝箔的厚度为0.01～0.1mm。

8.根据权利要求4所述的薄膜滤光片的低温制备方法，其特征在于，所述的两个半圆环的宽度均为10～40mm。

9.根据权利要求1所述的薄膜滤光片的低温制备方法，其特征在于，步骤2)中，所述的交流高电压的频率为50Hz、电压为3.2～3.6KV。