[发明专利]图像传感器及其形成方法

权利要求书

1.一种图像传感器，其特征在于，包括：

半导体衬底，所述半导体衬底内具有光电二极管；

网格状的金属格栅，所述金属格栅包括主体部分以及底座部分，所述底座部分位于所述半导体衬底的表面，所述主体部分固定于所述底座部分上；

滤镜结构，位于所述金属格栅的开口内；

其中，越接近所述半导体衬底的表面，所述底座部分的横截面的面积越大，其中，所述横截面平行于所述半导体衬底的表面。

2.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述底座部分的纵截面的形状为梯形，所述纵截面垂直于所述半导体衬底的表面。

3.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述底座部分的横截面的面积大于所述主体部分的横截面的面积。

4.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述主体部分包括基部和位于所述基部上的顶部，所述顶部的横截面的面积小于所述基部的横截面的面积，且越远离所述半导体衬底的表面，所述顶部的横截面的面积越小。

5.根据权利要求4所述的图像传感器，其特征在于，所述顶部的纵截面的形状为三角形或梯形，所述纵截面垂直于所述半导体衬底的表面。

6.一种图像传感器的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底内具有光电二极管；

在所述半导体衬底的表面形成网格状的金属格栅，所述金属格栅包括主体部分以及底座部分，所述底座部分位于所述半导体衬底的表面，所述主体部分固定于所述底座部分；

在所述金属格栅的开口内形成滤镜结构；

其中，越接近所述半导体衬底的表面，所述底座部分的横截面的面积越大，其中，所述横截面平行于所述半导体衬底的表面。

7.根据权利要求6所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，在所述半导体衬底的表面形成网格状的金属格栅包括：

在所述半导体衬底的表面形成金属格栅材料层；

在所述金属格栅材料层的表面形成图形化的掩膜层；

以所述掩膜层为掩膜，采用第一刻蚀工艺，刻蚀所述金属格栅材料层的第一预设厚度，以形成所述金属格栅的主体部分；

以所述掩膜层为掩膜，采用第二刻蚀工艺，刻蚀所述金属格栅材料层，以形成所述金属格栅的底座部分。

8.根据权利要求7所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，

所述第一刻蚀工艺为等离子体刻蚀工艺，所述第一刻蚀工艺的刻蚀气体包括SF₆以及Ar；

所述第二刻蚀工艺为等离子体刻蚀工艺，所述第二刻蚀工艺的刻蚀气体包括碳氟化合物气体、SF₆以及Ar；

其中，所述碳氟化合物气体为CF₄、C4F₈以及C₄F₆中的单种气体，或者为CF₄、C4F₈以及C₄F₆中的多种气体的混合气体。

9.根据权利要求6所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述主体部分包括基部和位于所述基部上的顶部，在所述金属格栅的开口内形成滤镜结构之前，还包括：

采用第三刻蚀工艺，刻蚀所述顶部，以使所述顶部的横截面的面积小于所述基部的横截面的面积，且越远离所述半导体衬底的表面，所述顶部的横截面的面积越小。

10.根据权利要求9所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述第三刻蚀工艺为溅射刻蚀工艺。