[发明专利]固态储存装置的数据处理方法

说明书

本发明公开了一种固态储存装置的数据处理方法，包括下列步骤：当接收到一写入指令时，将写入数据写入一第一数目的区块，进行一区块关闭动作以形成该第一数目的使用区块，并更新该逻辑至实体对应表。当接收到一修剪指令时，将一第二数目的使用区块变更为该第二数目的非使用区块，将该第二数目的非使用区块内的一实体至逻辑对应数据储存至该非挥发性记忆体的一修剪区块，并更新该逻辑至实体对应表。以及，于多个时间点分别进行一备份动作，分别将对应该些时间点时的该逻辑至实体对应表的多个备份内容储存至该非挥发性记忆体。

技术领域

本发明是有关于一种固态储存装置的数据处理方法，且特别是有关于一种固态储存装置对应于修剪指令(trim command)的数据处理的方法，以及其对应的逻辑至实体对应表(Logical-to-Physical Table)重建方法。

背景技术

众所周知，固态储存装置(Solid State Drive，简称SSD)使用非挥发性记忆体(non-volatile memory)为主要储存元件。也就是说，当数据写入非挥发性记忆体后，一旦系统电源关闭，数据仍保存在固态储存装置中。

请参照图1，其所绘示为现有固态储存装置的示意图。固态储存装置10中包括一控制电路101与一非挥发性记忆体105。其中，非挥发性记忆体105可为一反及闸快闪记忆体(NAND flash memory)，且非挥发性记忆体105中包括多个区块Block_0、Block_1等等。再者，该些区块的其中之一被规划为备份区块Block_PBT用来储存部分建立表(PartialBuild Table，简称PBT表)的用途。另外，部分建立表也可称为快速建立表(Quick BuildTable，简称QBT)。

在固态储存装置10外部，控制电路101利用一外部总线20与主机(host)12之间进行指令与数据的传递。其中，外部总线20可为USB总线、SATA总线、PCIe总线、M.2总线或者U.2总线等等。

在固态储存装置10内部，控制电路101连接至非挥发性记忆体105，用以根据主机12所发出的写入指令进一步将主机12的写入数据存入非挥发性记忆体105。或者，根据主机12所发出的读取指令由非挥发性记忆体105中取得读取数据，经由控制电路101传递至主机12。

控制电路101更包括一逻辑至实体对应表(Logical-to-Physical Table，简称L2P表)107，用来管理非挥发性记忆体105内的储存数据。

为了能够即时更新L2P表107，L2P表107一般储存于挥发性记忆体中。例如，L2P表107的内容可储存于控制电路101内的静态随机存取记忆体(SRAM)或动态随机存取记忆体(DRAM)。当然，L2P表107的内容也可储存于控制电路101外的动态随机存取记忆体(DRAM)。

由于L2P表107储存于挥发性记忆体中，当固态储存装置10未接受电源时，L2P表107的内容将被删除。因此，当固态储存装置10断电之前，控制电路101需要将L2P表107的内容储存于非挥发性记忆体105中的一特定位置。因此，于固态储存装置10断电之后，虽然控制电路101中L2P表107的内容消失，但是非挥发性记忆体105中仍旧保存L2P表107的内容。

当固态储存装置10再次开机时，控制电路101需要先将非挥发性记忆体105中特定位置所记录的L2P表107的内容载入控制电路101中。当L2P表107的内容成功载入控制电路101后，固态储存装置10即可以正常运作。

再者，为了防止固态储存装置10于运作的过程发生突然断电的状况导致L2P表107的内容消失，控制电路101会在固态储存装置10运作的过程中进行备份动作(backupaction)，用以将L2P表107的内容储存于非挥发性记忆体105的备份区块Block_PBT表中。