[发明专利]CVD单晶金刚石消除边缘多晶的方法

权利要求书

1.一种CVD单晶金刚石消除边缘多晶的方法，其特征在于，包括以下步骤：

（1）清洁单晶金刚石晶种衬底：将单晶金刚石晶种衬底放入清洗液中对其表面的有机物杂质进行清洗；

（2）烘干单晶金刚石晶种衬底：将清洁完成后的单晶金刚石晶种衬底放入烘干机中，在60℃下进行烘干备用；

（3）导电银浆配制：将78重量份数的银粉加热熔融，并向其中加入11重量份数的树脂、2重量份数的固化剂、1重量份数的促进剂、5重量份数的非活性稀释剂、1重量份数的活性稀释剂、1重量份数的附着力促进剂和1重量份数的防沉降剂，不断搅拌使其混合均匀；

（4）粘贴金刚石晶种衬底：蘸取导电银浆涂覆在单晶金刚石晶种衬底上，并将涂覆导电银浆后的单晶金刚石晶种衬底通过导电银浆黏贴在微波等离子体化学气相沉积设备中的钼衬底托上表面；

（5）前处理：将微波等离子体化学气相沉积设备中抽真空，并控制微波等离子体化学气相沉积设备将单晶金刚石晶种衬底温度升高至600-800℃，对金刚石晶种衬底进行1-2h的前处理；

（6）金刚石生长：控制微波等离子体化学气相沉积设备将单晶金刚石晶种衬底温度升高至800-1000℃，并向微波等离子体化学气相沉积设备中不断鼓入足量的二氧化碳气体生长2-3d；

（7）检测：金刚石生长完成后由微波等离子体化学气相沉积设备中取出，并清除其表面粘附的导电银浆，检测其边缘区域是否存在边缘多晶。

2.如权利要求1所述的CVD单晶金刚石消除边缘多晶的方法，其特征在于，所述步骤（1）中的清洁金刚石晶种包括将金刚石晶种放入丙酮溶液中对其表面的有机物杂质进行超声波清洗。

3.如权利要求2所述的CVD单晶金刚石消除边缘多晶的方法，其特征在于，所述超声波清洗温度为40-50℃。

4.如权利要求1所述的CVD单晶金刚石消除边缘多晶的方法，其特征在于，所述步骤（3）中的树脂为双酚A型环氧树脂，所述固化剂为酸酐类固化剂，所述促进剂为甲基咪唑，所述非活性稀释剂为乙酸丁酯，所述活性稀释剂为活性稀释剂692，所述附着力促进剂为钛酸四乙酯，所述防沉降剂为聚酰胺蜡。

5.如权利要求1所述的CVD单晶金刚石消除边缘多晶的方法，其特征在于，优选的，所述步骤（5）中的单晶金刚石晶种衬底温度升高至800℃，对金刚石晶种衬底进行1-2h的前处理。

6.如权利要求1所述的CVD单晶金刚石消除边缘多晶的方法，其特征在于，优选的，所述步骤（6）中的单晶金刚石晶种衬底温度升高至1000℃，并向微波等离子体化学气相沉积设备中不断鼓入足量的二氧化碳气体生长2-3d。