[发明专利]PERC电池钝化膜开模图形、PERC太阳能电池以及PERC太阳能组件在审
申请号: | 201811427049.X | 申请日: | 2018-11-27 |
公开(公告)号: | CN109390418A | 公开(公告)日: | 2019-02-26 |
发明(设计)人: | 王续;李邦勇;杜文轩;费正洪 | 申请(专利权)人: | 盐城阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/042 |
代理公司: | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人: | 常伟 |
地址: | 224400 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 图形单元 钝化膜 开模 电池 开膜线 硅片 太阳能电池 太阳能组件 闭合 电流收集 暴露 封闭 | ||
本发明公开了一种PERC电池钝化膜开模图形,形成于硅片背钝化膜上并暴露硅片,所述钝化膜开模图形由多个图形单元组成,每个图形单元构造为封闭的多边形,包括至少三条相邻的开膜线,相邻的两个图形单元的边共用。本发明公开的PERC电池钝化膜开模图形,其图形单元包括至少三条相邻的开膜线,可实现多个方向收集电流,且图形单元闭合,相辅相成,最大限度将电流收集。
技术领域
本发明涉及光伏电池生产领域,尤其是一种PERC电池钝化膜开模图形、PERC太阳能电池以及PERC太阳能组件。
背景技术
1954年美国贝尔实验室制备出世界上第一块转换效率为6%的单晶硅太阳电池,经过科学家六十年的不断探索,太阳电池取得了巨大的突破,最高转换效率已经达到了46%(聚光多结GaAs)。虽然太阳电池已经发展出三代,但是晶硅太阳电池仍然占据市场主流,如何降低材料成本仍是光伏行业的一大难题,因此硅太阳电池的厚度设计不断减薄。然而,当硅片厚度薄至小于硅片的扩散长度时,电池背面的复合必然会成为限制电池转换效率的主要因素,而PERC电池(passsivated emmiter and rear cell,钝化发射极局部背接触电池)因其良好的背钝化技术,可降低背面复合所导致的效率损失,提高电池的开路电压和短路电流。
PERC技术通过在电池的后侧上添加一个电介质钝化层来提高转换效率。标准电池结构中更好的效率水平受限于光生电子复合的趋势。PERC电池最大化跨越了P-N结的电势梯度,这使得电子更稳定的流动,减少电子复合,以及更高的效率水平。
目前PERC高效电池主要通过在电池背面进行一系列的钝化,从而提升电池效率,与普通电池工艺相比,表现在电学参数方面主要是电流与电压均有大幅度的提高,但填充因子有一定的下降幅度,其重要原因为背钝化材质大多为绝缘的,为保证钝化效果,背面选择局部激光开槽金属化,其接触电阻较大。因此如何设计开孔率与均匀性最优的钝化膜开模图形,成为了PERC效率提升的关键。
发明内容
本发明的目的在于提供一种开孔率与钝化效果更优的PERC电池钝化膜开模图形。
本发明的另一目的在于提供一种光电转换效率较高的PERC太阳能电池。
本发明的再一目的在于提供一种光电转换效率较高的PERC太阳能电池组件。
为实现上述发明目的之一,本发明提供了一种PERC电池钝化膜开模图形,形成于硅片背钝化膜上并暴露硅片,所述钝化膜开模图形由多个图形单元组成,每个图形单元构造为封闭的多边形,包括至少三条相邻的开膜线,相邻的两个图形单元的边共用。
作为本发明实施方式的进一步改进,所述至少三条相邻的开膜线相互呈钝角或锐角且各自的延伸方向均不同。
作为本发明实施方式的进一步改进,所述每个图形单元均构造为正六边形。
作为本发明实施方式的进一步改进,所述正六边形的边长在800um-1600um之间。
作为本发明实施方式的进一步改进,所述正六边形的其中一条边与所述硅片的边缘平行。
作为本发明实施方式的进一步改进,所述钝化膜开模图形到硅片边缘的最小距离在600um-1400um之间。
作为本发明实施方式的进一步改进,所述开膜线的宽度在30um-40um之间,深度小于1um。
作为本发明实施方式的进一步改进,所述钝化膜开模图形到所述硅片的四个边缘的距离相同。
作为本发明实施方式的进一步改进,所述多个图形单元中位于边缘的图形单元为由正六边形的一半构成的多边形,其它的图形单元均构造为正六边形。
作为本发明实施方式的进一步改进,所述钝化膜开模图形到硅片边缘的最小距离在800um-1200um之间。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的