[发明专利]一种光发射器件、终端设备

说明书

本申请公开了一种半导体器件，在该半导体器件中，在顶透明电极即第二电极以及底部功能层之间设置有阻隔层，该阻隔层可以作为底部功能层的阻隔保护层，能够有效防止顶电极制备过程中对底部功能层的冲击损坏，有利于提升器件良率和可靠性。此外，本申请还公开了一种包含该半导体器件的终端设备、相机和光模块。

技术领域

本申请涉及半导体器件技术领域，尤其涉及一种半导体器件，以及包含该半导体器件的终端设备、相机和光模块。

背景技术

对于一些结构为层叠结构的半导体器件，例如自发光显示器、顶部入射的光电探测器、图像传感器和太阳能电池，均包括底电极和顶电极以及位于两电极之间的功能层。由于为层叠结构，所以，顶电极的加工制备工艺可能会对底部功能层有冲击损坏等负面影响，从而降低半导体器件良率和可靠性。

发明内容

有鉴于此，本申请提供了一种半导体器件，以解决现有层叠结构的半导体器件中，顶电极的加工制备工艺对底部功能层的负面影响，进而提高半导体器件的良率和可靠性。

此外，基于上述提供的半导体器件，本申请还提供了一种终端设备、相机和光模块。

为了解决上述技术问题，本申请采用了如下技术方案：

本申请的第一方面提供了一种半导体器件，包括层叠放置的基板、第一电极、功能层、阻隔层和第二电极，所述第一电极位于所述基板和所述功能层之间，所述阻隔层位于所述功能层和所述第二电极之间，所述第二电极为透明电极。

基于第一方面提供的半导体器件，在顶透明电极即第二电极以及底部功能层之间设置有阻隔层，该阻隔层可以作为底部功能层的阻隔保护层，能够有效防止顶电极制备过程中对底部功能层的冲击损坏，有利于提升器件良率和可靠性。另外，在该半导体器件中，顶电极采用透明电极，该透明电极的透光率较高，所以，该透明电极的厚度可以较厚，因而，降低了工艺难度，提高了容错率。而且，该透明电极的厚度较厚，所以，不会容易产生透明电极的不连续，进而降低了电路断路的可能，提高了器件良率。

作为一种可选的实现方式，所述阻隔层覆盖所述功能层朝向所述第二电极的表面且包裹所述功能层的侧面，所述功能层的侧面位于所述功能层朝向所述第二电极的表面和所述功能层朝向所述第一电极的表面之间。在可选的实现方式可以使得底部的功能层受到阻隔层全方位保护，能够更加有效地防止顶电极制备过程中对底部功能层的冲击损坏，有利于提升器件良率和可靠性。

作为一种可选的实现方式，所述阻隔层的厚度不超过5nm。如此可以减少光的遮挡，提高光的透光率。

作为一种可选的实现方式，所述第二电极为透明金属氧化物制成的电极。该可选的实现方式可以提高半导体器件的透光率。

作为一种可选的实现方式，所述阻隔层的材料为N型半导体材料、P型半导体材料或者介电绝缘材料。

作为一种可选的实现方式，所述阻隔层的材料为氧化铝、氧化银、氧化硅和氧化铪中的一种。

作为一种可选的实现方式，所述第二电极的厚度范围在20～200nm之间。该可选的实现方式可以提高半导体器件的透光率。

作为一种可选的实现方式，所述功能层包括：依次层叠放置的第一载流子传输层、光发射层、第二载流子传输层，所述第一载流子传输层位于所述第一电极和所述光发射层之间，所述第二载流子传输层位于所述光发射层和所述阻隔层之间。

作为一种可选的实现方式，所述光发射层为有机光发射层或量子点光发射层。

作为一种可选的实现方式，所述第一电极为阳极，所述第二电极为阴极，所述第一载流子为空穴，所述第二载流子为电子。

作为一种可选的实现方式，所述第一电极为阴极，所述第二电极为阳极，所述第一载流子为电子，所述第二载流子为空穴。