[发明专利]基于硅通孔的衬底集成折叠波导滤波器及其制备方法

权利要求书

1.一种基于硅通孔的衬底集成折叠波导滤波器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

(a)在第一半导体衬底上刻蚀硅通孔，所述第一半导体衬底为高阻硅衬底；

(b)在所述硅通孔的内表面制备环形介质层，所述环形介质层为二氧化硅层；

(c)在所述环形介质层内制备金属柱；

(d)在所述第一半导体衬底的上表面制备第一隔离层；

(e)在所述硅通孔以及所述第一隔离层的上表面制备第一金属分布层，在所述第一金属分布层的上表面制备第一钝化层；

(f)在所述第一半导体衬底的下表面制备第二隔离层；

(g)在所述硅通孔以及所述第二隔离层的下表面制备第二金属分布层，在所述第一金属分布层的下表面制备第二钝化层，同时预留出键合点的位置，从而形成第一单层集成波导腔体；

(h)依照步骤(a)～(g)，在第二半导体衬底上制备形成第二单层集成波导腔体；

(i)将所述第一单层集成波导腔体和所述第二单层集成波导腔体进行层间键合，形成衬底集成折叠波导滤波器；

步骤(i)包括：

利用键合凸起将所述第一单层集成波导腔体和所述第二单层集成波导腔体进行层间键合，形成折叠波导滤波器，键合后的所述第一单层集成波导腔体和所述第二单层集成波导腔体之间形成缝隙结构。

2.根据权利要求1所述的基于硅通孔的衬底集成折叠波导滤波器的制备方法，其特征在于，步骤(a)包括：

利用反应离子刻蚀法，在所述第一半导体衬底上刻蚀若干孔径为4.2～22μm的硅通孔。

3.根据权利要求2所述的基于硅通孔的衬底集成折叠波导滤波器的制备方法，其特征在于，相邻所述硅通孔之间的中心距为10～50μm。

4.根据权利要求1所述的基于硅通孔的衬底集成折叠波导滤波器的制备方法，其特征在于，步骤(b)包括：

通过化学气相沉积法，在所述硅通孔的内表面制备厚度为0.1～1μm的环形介质层。

5.根据权利要求1所述的基于硅通孔的衬底集成折叠波导滤波器的制备方法，其特征在于，所述金属柱层为铜柱层或铝柱层。

6.根据权利要求1所述的基于硅通孔的衬底集成折叠波导滤波器的制备方法，其特征在于，所述第一金属分布层和第二金属分布层均为铜线层或者铝线层。

7.根据权利要求1所述的基于硅通孔的衬底集成折叠波导滤波器的制备方法，其特征在于，所述键合凸起的材料为铝、锡、铝锡合金或铜锡合金。

8.一种基于硅通孔的衬底集成折叠波导滤波器，其特征在于，所述衬底集成折叠波导滤波器由权利要求1～7任一项所述的方法制备形成。