[发明专利]银膜蚀刻液组合物、用它的蚀刻方法及金属图案形成方法

权利要求书

1.一种银薄膜蚀刻液组合物，包含：

无机酸；

含硫酸；

不含氮有机酸；

分子内含有一个氢原子的磷酸盐；以及

水，

其中，所述无机酸包括硝酸，所述含硫酸选自由硫酸、甲磺酸及氨基磺酸组成的组中的一种以上，所述不含氮有机酸包括选自由柠檬酸及丙二酸组成的组中的一种以上，且所述分子内含有一个氢原子的磷酸盐包括选自由磷酸二铵、磷酸氢二钠及磷酸氢二钾组成的组中的一种以上。

2.根据权利要求1所述的银薄膜蚀刻液组合物，其中，

相对于组合物的总重量，包含：

1重量％至20重量％的所述无机酸；

1重量％至20重量％的所述含硫酸；

10重量％至70重量％的所述不含氮有机酸；

5重量％至30重量％的所述分子内含有一个氢原子的磷酸盐；以及

余量的所述水。

3.根据权利要求1所述的银薄膜蚀刻液组合物，其中，

所述银薄膜蚀刻液组合物能够同时蚀刻由银或银合金制成的单层膜或由所述单层膜和透明导电膜构成的多层膜。

4.根据权利要求3所述的银薄膜蚀刻液组合物，其中，

所述透明导电膜为选自由氧化铟锡、氧化铟锌、氧化铟锡锌及氧化铟镓锌组成的组中的一种以上。

5.根据权利要求3所述的银薄膜蚀刻液组合物，其中，

所述多层膜包括由透明导电膜/银、透明导电膜/银合金、透明导电膜/银/透明导电膜、或透明导电膜/银合金/透明导电膜形成的多层膜。

6.一种蚀刻方法，包括以下步骤：

在基板上形成由银或银合金制成的单层膜或由所述单层膜和透明导电膜构成的多层膜；

在所述单层膜或所述多层膜上选择性地残留光反应物质；以及

使用根据权利要求1所述的组合物来对所述单层膜或所述多层膜进行蚀刻。

7.一种形成金属图案的方法，包括以下步骤：

在基板上形成由银或银合金制成的单层膜或由所述单层膜和透明导电膜构成的多层膜；以及

使用根据权利要求1所述的组合物来对所述单层膜或所述多层膜进行蚀刻。