[发明专利]非易失性存储器装置、其操作方法及数据存储装置

说明书

本发明公开一种非易失性存储器装置，该非易失性存储器装置包括：存储器单元阵列；外围电路，被配置为对存储器单元阵列执行与从外部装置提供的命令相对应的操作；失败发生寄存器，被配置为存储用于故意引起操作失败发生的失败发生信息；以及控制逻辑，被配置为：基于从外部装置接收的失败发生命令，将失败发生信息存储在失败发生寄存器中；控制外围电路对存储器单元阵列执行与从外部装置接收的测试操作命令相对应的测试操作；以及控制外围电路基于失败发生信息在测试操作中引起故意失败发生。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2018年3月21日在韩国专利局提交的申请号为10-2018-0032539的韩国专利申请的优先权，其通过引用而整体并入本文。

技术领域

本发明的各个实施例总体涉及一种半导体装置。更具体地，实施例涉及一种非易失性存储器装置及其操作方法，以及包括该非易失性存储器装置的数据存储装置。

背景技术

近来，计算机环境的范例已经转变为能够随时随地利用计算机系统的普适计算环境。因此，诸如移动电话、数码相机和膝上型计算机的便携式电子装置的使用快速增长。通常，这种便携式电子装置使用利用存储器装置的数据存储装置。数据存储装置被用于存储在便携式电子装置中使用的数据。

由于不存在机械驱动部，因此利用存储器装置的数据存储装置提供诸如优良的稳定性和耐久性、高信息访问速度和较少功耗的优点。具有这种优点的数据存储装置包括通用串行总线(USB)存储器装置、具有各种接口的存储卡、通用闪速存储(UFS)装置以及固态硬盘(SSD)。

发明内容

各种实施例针对一种能够缩短闪存转换层(FTL)的验证时间并验证各种类型的失败的非易失性存储器装置、其操作方法和包括该非易失性存储器装置的数据存储装置。

在实施例中，一种非易失性存储器装置可以包括：存储器单元阵列；外围电路，被配置为对存储器单元阵列执行与从外部装置提供的命令相对应的操作；失败发生寄存器，被配置为存储用于故意引起操作失败发生的失败发生信息；以及控制逻辑，被配置为：基于从外部装置接收的失败发生命令，将失败发生信息存储在失败发生寄存器中；控制外围电路对存储器单元阵列进行与从外部装置接收的测试操作命令相对应的测试操作；以及控制所述外围电路基于失败发生信息在测试操作中引起故意失败发生。

在实施例中，一种用于操作非易失性存储器装置的方法可以包括：从外部装置接收失败发生命令；基于失败发生命令将失败发生信息存储在失败发生寄存器中；从外部装置接收测试操作命令；执行与测试操作命令相对应的测试操作；检查失败发生信息；以及基于失败发生信息引起针对测试操作的失败发生。

在实施例中，一种数据存储装置可以包括非易失性存储器装置和控制非易失性存储器装置的操作的控制器。非易失性存储器装置可以包括：存储器单元阵列；外围电路，被配置为对存储器单元阵列执行与从外部装置提供的命令相对应的操作；失败发生寄存器，被配置为存储用于故意引起操作失败发生的失败发生信息；以及控制逻辑，被配置为：基于从控制器接收的失败发生命令，将失败发生信息存储在失败发生寄存器中；控制外围电路对存储器单元阵列执行与从控制器接收的测试操作命令相对应的测试操作；以及控制外围电路基于失败发生信息在测试操作中引起故意失败发生。

在实施例中，一种数据存储装置可以包括：存储器单元阵列；外围电路；寄存器，被配置为存储信息，信息包括：是否引起失败发生、引起失败发生的操作的类型、和失败发生的条件；控制逻辑，被配置为控制外围电路以对存储器单元阵列执行操作；以及控制器，被配置为将测试命令提供给控制逻辑。控制逻辑进一步被配置为响应于测试命令在根据信息的类型的操作期间控制外围电路引起失败，并且将失败报告给控制器。控制器驱动闪存转换层(FTL)，以处理该失败，从而验证闪存转换层的处理结果。

根据实施例，可以在期望的时间点，以期望的类型引起针对非易失性存储器装置的期望被验证的失败发生。由于这个事实，可以缩短验证闪存转换层(FTL)的驱动的时间，同时能够验证各种类型的失败。