[发明专利]微晶玻璃晶化装置及方法有效
申请号: | 201811429170.6 | 申请日: | 2018-11-27 |
公开(公告)号: | CN109437535B | 公开(公告)日: | 2021-11-09 |
发明(设计)人: | 陈雪梅;王乃帅;冯劲 | 申请(专利权)人: | 成都光明光电股份有限公司 |
主分类号: | C03B32/02 | 分类号: | C03B32/02 |
代理公司: | 成都虹桥专利事务所(普通合伙) 51124 | 代理人: | 敬川 |
地址: | 610100 四川省*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 玻璃 化装 方法 | ||
1.微晶玻璃晶化方法,其特征在于:采用微晶玻璃晶化装置对玻璃(300)进行晶化处理,所述微晶玻璃晶化装置包括晶化炉(100)和设置在晶化炉(100)内的晶化支架(200),所述晶化支架(200)包括支撑板(210);所述支撑板(210)上设有放置凹槽(211),所述放置凹槽(211)内设置有防裂垫层(212),所述防裂垫层(212)的厚度与放置凹槽(211)的深度之比为1:1~2;
该方法包括下列步骤:
步骤一,将玻璃(300)放置到防裂垫层(212)上后启动晶化炉(100),按0.1~10℃/h的升温速度将玻璃(300)升温至T1,Tg-20℃≤T1≤Tg-5℃,并保温5~20h;
步骤二,将保温后的玻璃(300)按0.1~2℃/h的升温速度升温至T2使其晶化,Tg+20℃≤T2≤Tg+80℃;
步骤三,将晶化后的玻璃(300)按1~10℃/h的升温速度升温至T3使其释放晶化产生的应力,Tg+80℃<T3≤Tg+120℃,并保温20~200h;
步骤四,将玻璃(300)精密退火至室温;
其中,Tg为所处理玻璃(300)的玻璃化转变温度。
2.如权利要求1所述的微晶玻璃晶化方法,其特征在于:所述支撑板(210)为铸铁板、碳化硅板或耐高温不锈钢板。
3.如权利要求1所述的微晶玻璃晶化方法,其特征在于:所述放置凹槽(211)的深度为2~20mm。
4.如权利要求1至3中任意一项所述的微晶玻璃晶化方法,其特征在于:所述防裂垫层(212)由云母粉和石英砂的混合物铺设而成。
5.如权利要求4所述的微晶玻璃晶化方法,其特征在于:所述防裂垫层(212)中云母粉与石英砂的体积比为1:1~5。
6.如权利要求5所述的微晶玻璃晶化方法,其特征在于:所述云母粉和石英砂的粒度均为60~200目。
7.如权利要求1所述的微晶玻璃晶化方法,其特征在于:
步骤四中,精密退火的降温过程如下:先按4~10℃/h的降温速度将玻璃(300)降温至200℃,然后关闭晶化炉(100)使玻璃(300)惯性降温至室温。
8.如权利要求1或7所述的微晶玻璃晶化方法,其特征在于,该方法还包括以下工艺要求:晶化炉(100)的最高加热温度不低于850℃,晶化炉(100)内温度均匀性为±3℃。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都光明光电股份有限公司,未经成都光明光电股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811429170.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种硼硅长玻璃管的直线度加工方法及设备
- 下一篇:切割裂片装置及切割裂片方法