[发明专利]微晶玻璃晶化装置及方法

权利要求书

1.微晶玻璃晶化方法，其特征在于：采用微晶玻璃晶化装置对玻璃(300)进行晶化处理，所述微晶玻璃晶化装置包括晶化炉(100)和设置在晶化炉(100)内的晶化支架(200)，所述晶化支架(200)包括支撑板(210)；所述支撑板(210)上设有放置凹槽(211)，所述放置凹槽(211)内设置有防裂垫层(212)，所述防裂垫层(212)的厚度与放置凹槽(211)的深度之比为1:1～2；

该方法包括下列步骤：

步骤一，将玻璃(300)放置到防裂垫层(212)上后启动晶化炉(100)，按0.1～10℃/h的升温速度将玻璃(300)升温至T₁，Tg-20℃≤T₁≤Tg-5℃，并保温5～20h；

步骤二，将保温后的玻璃(300)按0.1～2℃/h的升温速度升温至T₂使其晶化，Tg+20℃≤T₂≤Tg+80℃；

步骤三，将晶化后的玻璃(300)按1～10℃/h的升温速度升温至T₃使其释放晶化产生的应力，Tg+80℃＜T₃≤Tg+120℃，并保温20～200h；

步骤四，将玻璃(300)精密退火至室温；

其中，Tg为所处理玻璃(300)的玻璃化转变温度。

2.如权利要求1所述的微晶玻璃晶化方法，其特征在于：所述支撑板(210)为铸铁板、碳化硅板或耐高温不锈钢板。

3.如权利要求1所述的微晶玻璃晶化方法，其特征在于：所述放置凹槽(211)的深度为2～20mm。

4.如权利要求1至3中任意一项所述的微晶玻璃晶化方法，其特征在于：所述防裂垫层(212)由云母粉和石英砂的混合物铺设而成。

5.如权利要求4所述的微晶玻璃晶化方法，其特征在于：所述防裂垫层(212)中云母粉与石英砂的体积比为1:1～5。

6.如权利要求5所述的微晶玻璃晶化方法，其特征在于：所述云母粉和石英砂的粒度均为60～200目。

7.如权利要求1所述的微晶玻璃晶化方法，其特征在于：

步骤四中，精密退火的降温过程如下：先按4～10℃/h的降温速度将玻璃(300)降温至200℃，然后关闭晶化炉(100)使玻璃(300)惯性降温至室温。

8.如权利要求1或7所述的微晶玻璃晶化方法，其特征在于，该方法还包括以下工艺要求：晶化炉(100)的最高加热温度不低于850℃，晶化炉(100)内温度均匀性为±3℃。