[发明专利]一种偏振激光散射检测单晶硅片亚表面损伤的方法有效
| 申请号： | 201811429262.4 | 申请日： | 2018-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN109781666B | 公开（公告）日： | 2021-04-23 |
| 发明（设计）人： | 白倩;张璧;殷景飞;马浩 | 申请（专利权）人： | 大连理工大学 |
| 主分类号： | G01N21/49 | 分类号： | G01N21/49;G01N21/59 |
| 代理公司： | 大连东方专利代理有限责任公司 21212 | 代理人： | 李洪福 |
| 地址： | 116024 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 偏振 激光 散射 检测 单晶硅 表面 损伤 方法 | ||
1.一种偏振激光散射检测单晶硅片亚表面损伤的方法，其特征在于：包括以下步骤：
A、检测亚表面裂纹
激光器(8)发射检测激光束(9)，检测激光束(9)经过偏振片(10)变为线偏振的入射激光(3)，入射激光(3)经过偏振分光镜(11)反射，入射到硅片(1)上；入射激光(3)在硅片(1)表面发生表面散射和透射，透射光线被亚表面裂纹散射；表面散射光线的偏振状态几乎与入射光保持一致，而亚表面裂纹散射光线(12)则为部分偏振光，通过偏振分光镜(11)将亚表面裂纹散射光线(12)从散射光线中分离出来，进而由光电探测器(13)将检测的光信号转化为电信号，然后将检测信号传送给计算机(14)；控制调整旋转位移平台(16)，使入射激光的偏振平面(4)与硅片(1)表面磨纹(2)方向垂直或者平行，即入射激光偏振方向(5)与硅片(1)表面上第一主应力方向(6)或第二主应力方向(7)平行，此时入射激光偏振方向(5)与第一主应力方向(6)或第二主应力方向(7)之间的夹角为零，则残余应力对偏振激光检测的影响也为零，从而消除了残余应力对检测信号的影响，准确获得硅片(1)亚表面裂纹的信息；
B、检测表面残余应力的分布
先按照步骤A获得分离残余应力的亚表面损伤的检测信号S1，改变入射激光偏振方向(5)与磨纹(2)之间的夹角，使其不等于0°或90°，获得激光散射检测信号S2，S1减去S2表示残余应力的检测信号；控制调整旋转位移平台(16)变换位置，获得不同位置处残余应力的检测信号，从而得到磨削表面残余应力的分布。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于大连理工大学，未经大连理工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811429262.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
