[发明专利]保护电路、电路及其操作方法、相应的车灯和车辆有效
申请号: | 201811429653.6 | 申请日: | 2018-11-27 |
公开(公告)号: | CN111224373B | 公开(公告)日: | 2023-01-06 |
发明(设计)人: | 龚天勋;梁锦桃;西尔万·伊冯;袁培良;方上业;张振宇 | 申请(专利权)人: | 市光法雷奥(佛山)汽车照明系统有限公司 |
主分类号: | H02H3/10 | 分类号: | H02H3/10;H02H1/06 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 纪雯 |
地址: | 528000 广东省佛山市禅城区*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 保护 电路 及其 操作方法 相应 车灯 车辆 | ||
本公开提供了一种用于对地短接保护的保护电路,所述电路包括:高导通电路,用于控制功能电路的电力供给,其中所述功能电路具有升压功能;以及充电子电路,用于基于所述保护电路的输入电源的输入电压和来自功能电路的输出电压,控制所述高导通电路导通或断开;以及储能电路,用于存储来自所述输入电源的电力以针对所述功能电路提供电力。
技术领域
本公开涉及电子设备领域,具体地,涉及一种保护电路、电路、方法以及相应的车灯和车辆。
背景技术
在电子电路中,往往存在对地短接的风险。当发生对地短接时,可能在电路中发生极大的短路电流,使线路或器件发生故障。为了解决该问题,现有技术提出了多种对地短接保护电路。这些电路往往通过检测输出电流并由软件对所检测的电流进行分析来控制开关的关断,从而实现对诸如驱动电路之类的功能电路的保护。
这种对地短接保护电路尽管能够实现对功能电路的保护,然而由于需要通过软件进行检测、分析和控制,所以反馈过程往往较慢且可靠性较低。
因此,需要提出一种能够执行对地短接保护的保护电路和保护方法。
发明内容
本公开在于提供一种用于对地短接保护的保护电路,所述电路可以包括:
高导通电路,用于控制功能电路的电力供给,其中所述功能电路具有升压功能;以及
充电子电路,用于基于所述保护电路的输入电源的输入电压和来自功能电路的输出电压,控制所述高导通电路导通或断开;以及
储能电路,用于存储来自所述输入电源的电力以针对所述功能电路提供电力。
在一个示例中,所述充电子电路的第一端与所述输入电源相连,第二端与所述功能电路的输出端相连;
所述高导通电路的第一端与所述输入电源相连,第二端经由储能电路与所述功能电路的输入端相连,控制端与所述充电子电路的输出端相连,
其中所述高导通电路被配置为响应于控制端为高电压导通且响应于控制端为低电压断开。
在另一示例中,所述高导通电路采用一个或多个NMOS晶体管。
NMOS晶体管的高导通特性使得能够将功能电路的输出端的电压作为反馈来控制高导通电路的断开或导通。
在另一示例中,所述储能电路包括第一电容器,所述第一电容器的一端与所述功能电路的输入端相连,且另一端接地。
储能电路能够在功能电路未启动时存储能量并响应于功能电路的启动而将所存储的能量提供给功能电路作为初始输入。
在另一示例中,当所述高导通电路采用多个NMOS晶体管时,所述多个NMOS晶体管中至少包括两个镜像连接的NMOS晶体管,其中,所述两个镜像连接的NMOS晶体管中的第一晶体管的源极与第二晶体管的源极相连,其中所述第一晶体管和所述第二晶体管的栅极作为高导通电路的控制端与所述充电子电路的第二端相连。
镜像连接的NMOS晶体管能够确保根据充电子电路的输出电压控制高导通电路的导通或断开,同时确保电流不会从储能电路或功能电路经由所述镜像连接的NMOS晶体管的寄生二极管反向流入输入电源。
在另一示例中,当所述高导通电路采用多个NMOS晶体管时,所述多个NMOS晶体管中的相邻两个NMOS晶体管的源漏极相互连接。
在另一示例中,当所述高导通电路采用单个NMOS晶体管时,所述单个NMOS晶体管的栅极作为控制端与所述充电子电路的第二端相连。
在另一示例中,所述充电子电路包括二极管和第二电容器,
其中所述二极管的正极与所述输入电源相连,且负极与所述功能电路的所述输出端相连,且
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