[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

衬底和限定所述衬底的有源区的器件隔离膜，所述有源区中具有栅极沟槽；

栅极绝缘膜，沿着所述栅极沟槽的侧面和底部设置；

栅电极，设置在所述栅极绝缘膜上并且占据所述栅极沟槽中未被所述栅极绝缘膜占据的至少一部分，所述栅电极具有第一部、所述第一部上的第二部以及所述第二部上的第三部；

第一阻挡膜图案，介于所述栅电极的第一部与所述栅极绝缘膜之间，所述第一阻挡膜图案具有第一功函数；

第二阻挡膜图案，介于所述栅电极的第二部与所述栅极绝缘膜之间，所述第二阻挡膜图案具有第二功函数；

第三阻挡膜图案，介于所述栅电极的第三部与所述栅极绝缘膜之间，所述第三阻挡膜图案具有第三功函数；

其中，所述第一功函数大于所述第三功函数并且小于所述第二功函数。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一阻挡膜图案、所述第二阻挡膜图案和所述第三阻挡膜图案具有氧面密度，其中所述第一阻挡膜图案的氧面密度大于所述第三阻挡膜图案的氧面密度，并且所述第一阻挡膜图案的氧面密度低于所述第二阻挡膜图案的氧面密度。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二阻挡膜图案和所述第三阻挡膜图案不延伸到所述栅电极中。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二阻挡膜图案和所述第三阻挡膜图案不在所述栅电极的第一部与所述第一阻挡膜图案之间延伸。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二阻挡膜图案在所述栅电极的第一部与所述栅电极的第二部之间延伸。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第三阻挡膜图案在所述栅电极的第二部与所述栅电极的第三部之间延伸。

7.一种半导体器件，包括：

衬底和限定所述衬底的有源区的器件隔离膜，所述有源区中具有栅极沟槽；

栅极绝缘膜，沿着所述栅极沟槽的侧面和底部设置；

栅电极，设置在所述栅极绝缘膜上并且占据所述栅极沟槽中未被所述栅极绝缘膜占据的至少一部分，所述栅电极具有第一部、所述第一部上的第二部以及所述第二部上的第三部；

第一材料的第一阻挡膜图案，介于所述栅电极的第一部与所述栅极绝缘膜之间；

第二材料的第二阻挡膜图案，介于所述栅电极的第二部与所述栅极绝缘膜之间；

第三材料的第三阻挡膜图案，介于所述栅电极的第三部与所述栅极绝缘膜之间；

所述第一材料和所述第二材料具有氧面密度，其中，所述第二材料的氧面密度大于所述第一材料的氧面密度。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述第一材料的氧面密度、所述第二材料的氧面密度和所述第三材料的氧面密度使得所述第三材料的氧面密度低于所述第一材料和所述第二材料中的每一个的氧面密度。

9.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述第一阻挡膜图案的功函数大于所述第三阻挡膜图案的功函数并且小于所述第二阻挡膜图案的功函数。

10.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述第二阻挡膜图案和所述第三阻挡膜图案不延伸到所述栅电极中。

11.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述第二阻挡膜图案和所述第三阻挡膜图案不在所述栅电极的第一部与所述第一阻挡膜图案之间延伸。

12.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述第二阻挡膜图案在所述栅电极的第一部与所述栅电极的第二部之间延伸。

13.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述第三阻挡膜图案在所述栅电极的第二部与所述栅电极的第三部之间延伸。