[发明专利]一种沉积制备薄膜样品的方法

说明书

本发明涉及薄膜制备领域，一种沉积制备薄膜样品的方法，气相沉积装置包括沉积腔、进气口I、导气管、出气口I、出气口II、导流罩、样品腔、传送杆、样品、样品座、样品台、操纵杆、进气口II、门阀I、进样腔、真空泵I、门阀II、分析腔、真空泵II和真空泵III，在真空环境中进行气相沉积，沉积制备薄膜方法采用了特殊的导流罩结构，能够减少沉积制备薄膜样品过程中的真空污染，能够更加精确地调节样品温度，获得高质量的薄膜，能够在无需破坏真空环境的条件下完成样品制备和样品分析，兼具低真空环境中进行的样品制备和高真空环境中的样品分析功能，能够调节样品与样品座之间的接触压力及样品座与加热器之间的接触压力，薄膜制备到分析的过程简单。

技术领域

本发明涉及薄膜制备领域，尤其是一种在真空环境中进行气相沉积且污染较少的一种沉积制备薄膜样品的方法。

背景技术

气相沉积是一种常用的薄膜制备方法，通常是在真空环境中进行，如化学气相沉积过程将包含了反应前驱体的载气通入沉积腔内，使得反应前驱体与衬底样品表面发生反应从而沉积，在某些制备过程中，沉积制备得到的薄膜样品需要立即进行分析及表征，因此需要将样品从沉积腔转移到分析腔，特别是在真空度较差的条件下，要尽可能避免样品在从沉积腔到超高真空的分析腔的传送过程中的真空污染。现有技术缺陷一：某些现有技术采用对样品薄膜进行热处理的方法来去除吸附到薄膜表面的杂质，但是无法去除如金属氧化物等残余的反应前驱体，另外，样品的温度控制不够精确容易导致加热温度不均匀而使得薄膜结构产生突变，再者，采用灯丝等热源的加热技术中热源与样品表面之间的温度梯度变化较大，样品周围的元件温度升高较多，通过反馈系统来控制温度会产生延迟；现有技术缺陷二：某些现有技术采用临时的、与薄膜制备真空系统相互独立的中转真空室，来实现真空度较低的沉积腔与超高真空的分析腔之间的样品转移，但是这种样品转移方法的操作过程较为复杂且耗时，所述一种沉积制备薄膜样品的方法能够解决问题。

发明内容

为了解决上述问题，本发明的沉积制备薄膜方法采用了特殊的导流罩结构，能够减少沉积过程中的污染，并采用特殊设计的样品座及样品台，能精确调控样品温度，获得高质量的薄膜，另外，采用门阀连接各真空腔体，能够在无需破坏真空环境的条件下完成样品制备和样品分析。

本发明所采用的技术方案是：