[发明专利]有效分析SSD前端NVMe模块性能的方法及系统有效

专利信息
申请号: 201811431410.6 申请日: 2018-11-26
公开(公告)号: CN109582523B 公开(公告)日: 2022-03-25
发明(设计)人: 高湾湾;冯元元;周强 申请(专利权)人: 深圳忆联信息系统有限公司
主分类号: G06F11/26 分类号: G06F11/26;G06F11/22
代理公司: 深圳市精英专利事务所 44242 代理人: 冯筠
地址: 518067 广东省深圳市南山区*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 有效 分析 ssd 前端 nvme 模块 性能 方法 系统
【说明书】:

发明公开了一种有效分析SSD前端NVMe模块性能的方法及系统,方法包括以下步骤:通过DRAM模块模拟SSD后端的Flash模块;接收并执行来之主机的命令;根据命令在主机和DRAM模块之间进行数据传输;获取SSD性能数据作为NVME模块性能数据。本方案通过DRAM模块来模拟SSD后端的Flash模块,完整的实现了NVMe模块的作用,通过进行SSD性能测试即可得到SSD前端的NVMe模块硬件IP的极限性能,能够精准的了解NVMe模块硬件IP的性能,并根据NVMe模块硬件IP的性能来对SSD进行维护或者升级,以提高SSD整体的性能,提高产品使用体验。

技术领域

本发明涉及到SSD分析领域,特别是涉及到一种有效分析SSD前端 NVMe模块性能的方法及系统。

背景技术

SSD英文全称为Solid State Disk,中文名称为固态硬盘,简称固盘,固态硬盘用固态电子存储芯片阵列而制成的硬盘,由控制单元和存储单元 (FLASH芯片、DRAM芯片)组成。

SSD全系统是由多个模块组成,常见的系统性能分析通常是针对整个系统的性能进行分析。如图1所示,现有的SSD的完整的系统架构,主要包括 Controller,DRAM以及FLASH,而控制器主要有PCIe,NVMe,DPM,FTL, NFC,DDR,Platform模块。现有NAND FLASHProgram通常分为两个过程,先将HOST数据写入DRAM,之后NFC通过填写描述符的方式读取DRAM中的数据并写入NAND;Read过程与NAND FLASH Program过程类似,也分为两个阶段,即NFC先将Nand数据搬至DRAM,DPM再将数据从DRAM读到Host缓存。

常见的SSD性能测试软件CrystalDiskMark、PCMArk等,这些软件只对整体性能进行分析,对整个系统的性能进行测试,意味着将上述所有模块作为一个整体进行性能分析,无法得出各模块的性能,也无法得到NVMe 模块的具体性能。因此,当系统性能较低需要优化时,根据这种测试方法无法准确知道SSD系统NVMe模块的性能。

发明内容

为了解决上述现有技术的缺陷,本发明的目的是提供一种有效分析SSD 前端NVMe模块性能的方法及系统,能够模拟SSD后端来单独分析SSD前端的NVMe模块硬件IP的极限性能。

为达到上述目的,本发明的技术方案是:

一种有效分析SSD前端NVMe模块性能的方法,包括,

通过DRAM模块模拟SSD后端的Flash模块;

接收并执行来自主机的命令;

根据命令在主机和DRAM模块之间进行数据传输;

获取SSD性能数据作为NVME模块性能数据。

进一步地,所述接收并执行来之主机的命令步骤,包括,

接收来自主机的命令;NVMe硬件将命令提交到硬件FIFO;

NVME模块读取硬件FIFO的命令,并提交给命令管理模块;

命令管理模块将命令下发给后端的DRAM模块;

DRAM模块根据接收到的命令构建好数据传输请求放入硬件FIFO。

进一步地,所述NVME模块读取硬件FIFO的命令步骤,包括,

NVMe模块在读取时对命令进行字段检查。

进一步地,所述根据命令在主机和DRAM模块之间进行数据传输步骤,包括,

根据数据传输请求在主机和DRAM模块之间进行数据传输。

进一步地,所述获取SSD性能数据作为NVME模块性能数据步骤,包括,

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