[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

衬底，所述衬底包括单元区域和外围电路区域；

顺序地堆叠在所述衬底的所述单元区域和所述外围电路区域上的第一下绝缘夹层、保护绝缘层和第一上绝缘夹层；

穿透所述第一上绝缘夹层、所述保护绝缘层和所述第一下绝缘夹层的导电图案，所述导电图案在所述外围电路区域上；以及

数据存储结构，所述数据存储结构在所述单元区域上的所述第一下绝缘夹层上，

其中所述第一上绝缘夹层在所述数据存储结构上，所述保护绝缘层在所述数据存储结构的侧壁与所述第一上绝缘夹层之间以及在所述单元区域上的所述第一下绝缘夹层和所述第一上绝缘夹层之间，

其中所述导电图案包括线部分和接触部分，所述线部分沿与所述衬底的上表面平行的方向延伸，所述接触部分从所述线部分朝所述衬底延伸，

其中所述接触部分彼此间隔开且其间具有绝缘图案，

其中所述绝缘图案包括所述第一上绝缘夹层的一部分、所述保护绝缘层的一部分和所述第一下绝缘夹层的一部分，以及

其中所述绝缘图案的至少一部分具有台阶状的轮廓。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述接触部分的每个具有随着离所述衬底的距离增加而增大的宽度。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中所述绝缘图案具有随着离所述衬底的所述距离增加而减小的宽度。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一上绝缘夹层的所述部分的侧壁具有台阶状的轮廓。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述线部分穿透所述第一上绝缘夹层的上部，以及

其中所述接触部分的每个穿透所述第一上绝缘夹层的下部、所述保护绝缘层和所述第一下绝缘夹层。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述保护绝缘层包括与所述第一上绝缘夹层和所述第一下绝缘夹层不同的材料，以及

其中所述线部分和所述接触部分包括相同的材料。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中所述保护绝缘层在所述外围电路区域上的所述第一下绝缘夹层和所述第一上绝缘夹层之间延伸。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中相对于所述衬底，所述外围电路区域上的所述第一下绝缘夹层的第一上表面低于所述单元区域上的所述第一下绝缘夹层的第二上表面。

9.根据权利要求7所述的半导体器件，还包括：

在所述第一上绝缘夹层上的第二上绝缘夹层；以及

在所述第一上绝缘夹层与所述第二上绝缘夹层之间的上绝缘层，

其中所述第二上绝缘夹层和所述上绝缘层在所述单元区域和所述外围电路区域上，以及

其中所述线部分穿透所述第二上绝缘夹层和所述上绝缘层。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中所述上绝缘层包括与所述第一上绝缘夹层和所述第二上绝缘夹层不同的材料。

11.根据权利要求9所述的半导体器件，还包括：

在所述数据存储结构上的单元导电线，

其中所述单元导电线穿透所述第二上绝缘夹层和所述上绝缘层并且连接到所述数据存储结构，以及

其中所述单元导电线、所述线部分和所述接触部分包括相同的材料。

12.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

在所述衬底与所述第一下绝缘夹层之间的第二下绝缘夹层；

在所述第一下绝缘夹层与所述第二下绝缘夹层之间的下绝缘层；以及

在所述第二下绝缘夹层中的外围导电线，

其中所述接触部分穿透所述下绝缘层并且分别连接到所述外围导电线，

其中所述绝缘图案还包括所述下绝缘层的一部分，以及

其中所述下绝缘层包括与所述第一下绝缘夹层和所述第二下绝缘夹层不同的材料。