[发明专利]一种电源电路、直流电源及电子器件有效

专利信息
申请号: 201811432231.4 申请日: 2018-11-28
公开(公告)号: CN109347323B 公开(公告)日: 2020-08-11
发明(设计)人: 何力 申请(专利权)人: 湖南国科微电子股份有限公司
主分类号: H02M3/155 分类号: H02M3/155
代理公司: 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 代理人: 何明伦
地址: 410000 湖南省长沙市*** 国省代码: 湖南;43
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摘要:
搜索关键词: 一种 电源 电路 直流电源 电子器件
【权利要求书】:

1.一种电源电路,其特征在于,包括:输出单元、电流镜单元、第一场效应管、第二场效应管及第一电阻;

所述输出单元和所述电流镜单元均与一电源电连接,所述电流镜单元与所述输出单元电连接,所述第一场效应管的漏极与所述电流镜单元、所述第一场效应管的栅极、所述第二场效应管的漏极和所述第一电阻的一端均电连接,所述第一电阻的另一端与所述电流镜单元和所述第二场效应管的栅极均电连接,所述第一场效应管的源极和所述第二场效应管的源极均接地;

所述输出单元,用于根据所述电源得到恒定的输出电流。

2.如权利要求1所述的电源电路,其特征在于,所述电源电路还包括调节单元,所述调节单元与所述电源、所述电流镜单元、所述第一场效应管的漏极和栅极、所述第二场效应管的漏极和所述第一电阻的两端均电连接;

所述调节单元,用于将所述电流镜单元隔离以降低所述输出电流的偏差。

3.如权利要求2所述的电源电路,其特征在于,所述调节单元包括:第三场效应管、第四场效应管、第五场效应管及第二电阻;

所述第三场效应管的源极与所述电流镜单元电连接,所述第三场效应管的栅极与所述第四场效应管的栅极、所述第二电阻的一端、所述第五场效应管的漏极均电连接,所述第三场效应管的漏极与所述第一场效应管的漏极电连接,所述第四场效应管的源极与所述电流镜单元电连接,所述第四场效应管的漏极与所述电流镜单元和所述第一电阻的另一端均电连接,所述第二电阻的另一端与所述电源电连接,所述第五场效应管的栅极与所述第一场效应管的栅极电连接,所述第五场效应管的源极接地。

4.如权利要求3所述的电源电路,其特征在于,当所述第二电阻的阻值与所述输出电流的积在一预设范围内时,所述第三场效应管和所述第四场效应管均工作在饱和区。

5.如权利要求3所述的电源电路,其特征在于,所述电流镜单元包括:第六场效应管和第七场效应管;

所述第六场效应管的源极和第七场效应管的源极均与所述电源电连接,所述第六场效应管的栅极与所述第七场效应管的栅极和所述第四场效应管的漏极电连接,所述第六场效应管的漏极与所述第三场效应管的源极电连接,所述第七场效应管的漏极与所述第四场效应管的源极电连接。

6.如权利要求5所述的电源电路,其特征在于,所述输出单元包括:至少一个第八场效应管;

每个所述第八场效应管的栅极均与所述第六场效应管的栅极电连接,每个所述第八场效应管的源极均与所述电源电连接,每个所述第八场效应管的漏极均输出所述输出电流。

7.如权利要求6所述的电源电路,其特征在于,所述第一场效应管、所述第二场效应管和所述第五场效应管均采用NMOS管。

8.如权利要求6所述的电源电路,其特征在于,所述第三场效应管、所述第四场效应管、所述第六场效应管、所述第七场效应管和所述第八场效应管均采用PMOS管。

9.如权利要求6所述的电源电路,其特征在于,所述输出电流由以下公式得到:

其中,r1表示第一电阻的阻值,β表示一个工艺常数,K1表示第一场效应管的宽长比与第二场效应管的宽长比的倍数,K2表示第八场效应管的宽长比与第六场效应管的宽长比的倍数。

10.一种直流电源,其特征在于,包括:权利要求1-9任意一项所述的电源电路。

11.一种电子器件,其特征在于,包括:权利要求10所述的直流电源。

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