[发明专利]一种量子点的制备方法在审

专利信息
申请号: 201811432312.4 申请日: 2018-11-28
公开(公告)号: CN111234802A 公开(公告)日: 2020-06-05
发明(设计)人: 程陆玲;杨一行 申请(专利权)人: TCL集团股份有限公司
主分类号: C09K11/02 分类号: C09K11/02;B82Y20/00;B82Y30/00;B82Y40/00;H01L51/50;H01L51/56
代理公司: 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 代理人: 王永文;刘文求
地址: 516006 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 量子 制备 方法
【说明书】:

发明公开一种量子点的制备方法,其中,包括步骤:提供一种复合材料,所述复合材料包括PAMAM树形分子以及结合在所述PAMAM树形分子腔体内的金属离子;对所述复合材料中的PAMAM树形分子末梢官能团进行改性处理,使PAMAM树形分子中的胺基转变为油溶性基团,得到油溶性复合材料;将所述油溶性复合材料和初始量子点在非极性溶剂中混合,使油溶性复合材料中的金属离子电离后与初始量子点表面的阳离子空位配位结合,得到所述量子点。通过本发明方法能够制得表面阳离子缺陷较少的量子点,将所述量子点作为量子点发光二极管的量子点发光层材料,可以有效提高量子点发光二极管的荧光强度。

技术领域

本发明涉及量子点领域,尤其涉及一种量子点的制备方法。

背景技术

量子点的制备技术有很多种,无论何种方式制备得到的量子点在表层都会存在相应的阴阳离子缺陷,也即是表面生长的不是很完好;量子点表层存在的阴阳离子缺陷会在一定程度上造成激子捕获引起猝灭。

针对量子点表面的阴离子缺陷可以通过表面配体修饰剂进行弥补改善,而针对量子点表面的阳离子缺陷在现有技术中主要是采用有机金属阳离子前躯体对量子点表面进行钝化处理,而采用该技术方案处理会造成量子点表面进一步的产生阴离子缺陷,因此现有技术有待改进。

发明内容

鉴于上述现有技术的不足,本发明的目的在于提供一种量子点及其制备方法、量子点发光二极管,旨在解决现有技术无法有效去除量子点表面阳离子缺陷的问题。

本发明的技术方案如下:

一种量子点的制备方法,其中,包括步骤:

提供一种复合材料,所述复合材料包括PAMAM树形分子以及结合在所述PAMAM树形分子腔体内的金属离子;

对所述复合材料中的PAMAM树形分子末梢官能团进行改性处理,使PAMAM树形分子中的胺基转变为油溶性基团,得到油溶性复合材料;

将所述油溶性复合材料和初始量子点在非极性溶剂中混合,使油溶性复合材料中的金属离子电离后与初始量子点表面的阳离子空位结合,得到所述量子点。

有益效果:本发明提供一种量子点的制备方法,通过利用腔体内结合有金属离子的PAMAM树形分子作为钝化前驱体,对初始量子点进行表面钝化处理可制得表面阳离子缺陷较少的量子点。

附图说明

图1为本发明一种量子点的制备方法较佳实施例的流程图。

具体实施方式

本发明提供一种量子点的制备方法,为使本发明的目的、技术方案及效果更加清楚、明确,以下对本发明进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。

请参阅图1,本发明提供一种量子点的制备方法较佳实施例的流程图,其中,如图所示,包括步骤:

S100、提供一种复合材料,所述复合材料包括PAMAM树形分子以及结合在所述PAMAM树形分子腔体内的金属离子;

S200、对所述复合材料中的PAMAM树形分子末梢官能团进行改性处理,使PAMAM树形分子中的胺基转变为油溶性基团,得到油溶性复合材料;

S300、将所述油溶性复合材料和初始量子点在非极性溶剂中混合,使油溶性复合材料中的金属离子电离后与初始量子点表面的阳离子空位结合,得到所述量子点。

本实施例利用腔体内结合有金属离子的PAMAM树形分子作为钝化元素的前驱体,对初始量子点进行表面钝化处理可制得表面阳离子缺陷较少的量子点。实现上述效果的机理具体如下:

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