[发明专利]一种量子点发光二极管及其制备方法有效
| 申请号： | 201811432326.6 | 申请日： | 2018-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN111244293B | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 吴劲衡;吴龙佳;何斯纳 | 申请（专利权）人： | TCL科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 王永文;刘文求 |
| 地址： | 516006 广东省惠州市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 量子 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
1.一种量子点发光二极管，包括阴极、阳极以及设置在所述阴极和阳极之间的量子点发光层，所述阳极和量子点发光层之间还设置有空穴传输层，其特征在于，所述空穴传输层材料包括PAMAM树形分子以及与所述PAMAM树形分子上的氨基结合的金属氧化物纳米颗粒；
所述PAMAM树形分子中的支链数量大于等于3且小于等于12，且每个支链的碳原子数量大于等于6且小于等于18。
2.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述金属氧化物纳米颗粒选自NiO、V2O5、WO3和MoO3中的一种或多种；和/或
所述金属氧化物纳米颗粒的粒径为5-20nm。
3.根据权利要求1所述量子点发光二极管，其特征在于，所述空穴传输层的厚度为10-100nm。
4.一种量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，包括步骤：
提供一阳极基板，在所述阳极基板上制备空穴传输层，在所述空穴传输层上制备量子点发光层，在所述量子点发光层上制备阴极，制得所述量子点发光二极管；
或者，提供一阴极基板，在所述阴极基板上制备量子点发光层，在所述量子点发光层上制备空穴传输层，在所述空穴传输层上制备阳极，制得所述量子点发光二极管；
其中，所述空穴传输层材料包括PAMAM树形分子以及与所述PAMAM树形分子上的氨基结合的金属氧化物纳米颗粒；
所述PAMAM树形分子中的支链数量大于等于3且小于等于12，且每个支链的碳原子数量大于等于6且小于等于18。
5.根据权利要求4所述量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述空穴传输层材料的制备方法包括步骤：
将金属氧化物纳米颗粒分散在有机溶剂中，生成金属氧化物纳米颗粒溶液；
向所述金属氧化物纳米颗粒溶液中加入油胺，混合使所述油胺结合在所述金属氧化物纳米颗粒的表面；
向所述金属氧化物纳米颗粒溶液中加入PAMAM树形分子混合，使所述PAMAM树形分子与结合在金属氧化物纳米颗粒表面的油胺发生配体交换反应，制得所述空穴传输层材料。
6.根据权利要求5所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述金属氧化物纳米颗粒的粒径为5-20nm。
7.根据权利要求5所述量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述金属氧化物纳米颗粒溶液的浓度为10-50mg/ml。
8.根据权利要求5所述量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述油胺在金属氧化物纳米颗粒溶液中的体积百分比为0.5-2％。
9.根据权利要求5所述量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，按照油胺与PAMAM树形分子的摩尔质量比为1:5-1:20的比例向所述金属氧化物纳米颗粒溶液中加入PAMAM树形分子。
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