[发明专利]一种纳米金属氧化物及其制备方法、量子点发光二极管

说明书

本发明公开一种纳米金属氧化物及其制备方法、量子点发光二极管，其中，纳米金属氧化物的制备方法包括步骤：提供一种复合材料，所述复合材料包括PAMAM树形分子以及结合在所述PAMAM树形分子腔体内的金属离子；将所述复合材料加入到纳米金属氧化物生长反应体系中混合，得到所述纳米金属氧化物。本发明能够实现将金属离子均一地掺杂到纳米金属氧化物中，制得缺陷较少、质量较佳的纳米金属氧化物，将所述纳米金属氧化物作为量子点发光二极管的电子传输层材料，可以调节量子点发光二极管的电子迁移率，从而使其电子空穴注入速率达到平衡，进而提高其发光效率。

技术领域

本发明涉及金属氧化物掺杂领域，尤其涉及一种纳米金属氧化物及其制备方法、量子点发光二极管。

背景技术

量子点发光二极管（QLED）的器件效率、寿命等技术指标的高低都与器件中的每一个功能层有着密切联系，其中，电子传输层影响着器件的电荷注入水平。金属氧化物纳米颗粒是用于量子点发光二极管的主要材料，作为电子传输层，金属氧化物纳米颗粒的电子迁移率和能带宽度是影响器件的关键技术，因此制备具有合适电子迁移率和能带宽度的金属氧化物比较重要。

制备掺杂金属氧化物纳米颗粒，能够有效的改变金属氧化物纳米颗粒的电子迁移率和能带宽度，现有技术中制备掺杂金属氧化物纳米颗粒的主要技术手段是凝胶溶胶法并且采用的掺杂离子主要是金属盐溶液，利用金属盐溶液作为掺杂金属元素制备掺杂金属氧化物纳米颗粒不能够很好的实现均一掺杂，会造成较多的缺陷从而影响掺杂金属氧化物纳米颗粒的质量，因此现有技术有待改进。

发明内容

鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种纳米金属氧化物及其制备方法、量子点发光二极管，旨在解决现有技术在制备纳米金属氧化物时，由于无法实现均一掺杂，导致制备的纳米金属氧化物缺陷较多、质量较差的问题。

本发明的技术方案如下：

一种纳米金属氧化物的制备方法，其中，包括步骤：

提供一种复合材料，所述复合材料包括PAMAM树形分子以及结合在所述PAMAM树形分子腔体内的金属离子；

将所述复合材料加入到纳米金属氧化物生长反应体系中混合，进行金属氧化物晶体生长得到所述纳米金属氧化物。

一种纳米金属氧化物，其中，采用本发明方法制备而成。

一种量子点发光二极管，包括电子传输层，其中，所述电子传输层材料为本发明制备方法制备的纳米金属氧化物或本发明所述的纳米金属氧化物。

有益效果：本发明提供一种纳米金属氧化物的制备方法，通过提供一种复合材料，所述复合材料包括PAMAM树形分子以及结合在所述PAMAM树形分子腔体内的金属离子；将所述复合材料加入到纳米金属氧化物生长反应体系中混合，进行金属氧化物晶体生长得到所述纳米金属氧化物。本发明能够实现将金属离子均一地掺杂到纳米金属氧化物中，制得缺陷较少、质量较佳的纳米金属氧化物，所述金属离子的均一掺杂能够有效改变纳米金属氧化物的电子迁移率和能级宽度。

附图说明

图1为本发明一种纳米金属氧化物的制备方法较佳实施例的流程图。

具体实施方式

本发明提供一种纳米金属氧化物及其制备方法、量子点发光二极管，为使本发明的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下对本发明进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

请参阅图1，本发明提供一种纳米金属氧化物的制备方法较佳实施例的流程图，其中，如图所示，包括步骤：

S100、提供一种复合材料，所述复合材料包括PAMAM树形分子以及结合在所述PAMAM树形分子腔体内的金属离子；