[发明专利]从较快存储器级操作较高优先级用户的多级系统存储器配置

说明书

描述了一种方法。所述方法包括识别通过较快较高级别和较慢较低级别所表征的多级系统存储器的较高优先级用户，其中较高级别将充当较低级别的高速缓存，并且其中较高级别的第一容量小于较低级别的第二容量，使得较高级别的高速缓存资源是可超额预订的。所述方法还包括执行下列至少一个：断言不可用的第二容量的量以降低高速缓存资源的超额预订；分配多级系统存储器的系统存储器地址空间，使得与较低优先级用户关联的请求将不和与较高优先级用户关联的请求竞争高速缓存资源。

技术领域

本发明的领域一般涉及计算科学，并且更具体来说涉及从较快存储器级来操作较高优先级用户的多级系统存储器配置。

背景技术

计算系统设计员不断寻求改进其系统的效率和/或性能的方式。计算系统的效率和/或性能一般取决于其系统存储器。因此，系统设计员近来已更加注重系统存储器设计和/或系统存储器使用模型。

附图说明

根据结合附图的以下详细描述，能够得到对本发明的更佳理解，在附图中：

图1示出具有多级系统存储器的计算系统；

图2示出为较高优先级用户提供更快级别的多级系统存储器的第一配置；

图3示出为较高优先级用户提供更快级别的多级系统存储器的第一配置；

图4示出用于配置计算机系统的方法；

图5示出计算系统。

具体实施方式

图1示出具有多分层或多级系统存储器112的计算系统100的实施例。按照各个实施例，较小较快的近存储器113（例如较高带宽和/或小访问时间等）可被用作较大较慢的远存储器114（例如较低带宽和/或大访问时间等）的高速缓存。在各个实施例中，近存储器113被用来存储系统存储器112中保存的程序代码和/或数据的更频繁访问项。通过在近存储器113中存储更频繁使用项，系统存储器112将被视为更快，因为系统常常将从/对在较快近存储器113中存储的项进行读取/写入。

按照各个实施例，近存储器113比更低分层的远存储器114具有更低的访问时间。例如，近存储器113可通过比远存储器114具有更快时钟速度来展现缩减的访问时间。在这里，近存储器113可以是与存储器控制器116共处的较快（例如较低访问时间）易失性系统存储器技术（例如高性能动态随机存取存储器（DRAM）和/或SRAM存储器单元）。相反，远存储器114可以是以较慢时钟速度所实现的易失性存储器技术（例如接收较慢时钟的DRAM组件）或者例如比易失性/DRAM存储器或被用于近存储器的无论什么技术更慢（例如更长访问时间）的非易失性存储器技术。

例如，远存储器114可由新兴非易失性随机存取存储器技术来组成，例如（为列举几种可能性）基于相变的存储器、三维交叉点存储器、“原地写入”非易失性主存储器装置、具有由硫属化物所组成的存储单元的存储器装置、多个级别的闪速存储器、多阈值级别闪速存储器、基于铁电的存储器（例如FRAM）、基于磁的存储器（例如MRAM）、基于自旋转移矩的存储器（例如STT-RAM）、基于电阻器的存储器（例如ReRAM）、基于忆阻器的存储器、通用存储器、Ge2Sb2Te5存储器、可编程金属化单元存储器、非晶单元存储器、奥式（Ovshinsky）存储器等。这些技术中的任一种可以是字节可寻址的，以便被实现为计算系统中的系统存储器（又称作“主存储器”）而不是传统的基于块或扇区的非易失性海量存储装置。

新兴非易失性随机存取存储器技术通常具有下列项的某种组合：1）比DRAM更高的存储密度（例如通过在三维（3D）电路结构（例如交叉点3D电路结构）中构建）；2）比DRAM更低的功率消耗密度（例如因为它们不需要刷新）；和/或3）比DRAM更慢但是仍然比传统非易失性存储器技术（例如FLASH）更快的访问等待时间。特别是后一特性准许各种新兴非易失性存储器技术被用于主系统存储器角色中而不是传统海量存储装置角色（其是非易失性存储装置的传统架构位置）中。