[发明专利]基板处理装置、存储介质及基板研磨的响应特性的获取方法

权利要求书

1.一种基板处理装置，通过将基板按压于研磨垫而进行所述基板的研磨，所述基板处理装置的特征在于，具备：

研磨头，所述研磨头形成用于按压所述基板的多个压力室；

压力控制部，所述压力控制部用于对所述多个压力室内的压力进行彼此独立的控制，从而进行压力反馈控制；

膜厚测定部，所述膜厚测定部对研磨中的所述基板的膜厚分布进行测定；

存储部，所述存储部存储所述多个压力室中的设定压力的多个信息；及

响应特性获取部，所述响应特性获取部与多个阀连接，在所述基板的研磨中每当满足多个规定条件之一时，所述响应特性获取部通过控制所述多个阀的至少一个，从而将所述多个压力室的至少一个的压力变更为多个所述设定压力的一个，并测定对于所述基板的研磨率，基于得到的多个研磨率，获取基板研磨对于所述压力室的压力反馈的响应特性，将得到的响应特性存储于所述存储部，

所述响应特性表示基板研磨对于多个压力室的压力反馈的响应性。

2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

所述规定条件是经过一定时间或所述基板的研磨量达到一定量。

3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

多个所述设定压力包括：基准压力条件，所述基准压力条件由各压力室的基准值构成；及多个设定压力条件，所述多个设定压力条件是仅使一个压力室的压力值从该基准压力条件变化而得到的。

4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

所述响应特性获取部通过对一块基板以多个所述设定压力依次进行基板研磨，从而测定所述多个研磨率。

5.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，

所述响应特性获取部在获取了基准率之后，基于所述基准率对以多个所述设定压力依次进行基板研磨而得到的研磨率进行标准化，由此修正所述研磨率，所述基准率表示基于所述基准压力条件的研磨率的时间变化。

6.一种非暂时性的计算机能够读取的存储介质，其特征在于，包含能够执行的代码，该代码用于使通过将基板按压于研磨垫而进行所述基板的研磨的基板处理装置的计算机执行如下的内容：

对用于按压所述基板的多个压力室内的压力进行彼此独立的控制，从而进行压力反馈控制；

测定研磨中的所述基板的膜厚分布；

存储所述多个压力室中的设定压力的多个信息；

在所述基板的研磨中每当满足多个规定条件之一时，通过控制多个阀的至少一个，从而将所述多个压力室的至少一个的压力变更为多个所述设定压力的一个，并测定对于所述基板的研磨率；及

基于得到的多个研磨率，获取基板研磨对于所述压力室的压力反馈的响应特性，并存储得到的响应特性，

所述响应特性表示基板研磨对于多个压力室的压力反馈的响应性。

7.根据权利要求6所述的非暂时性的计算机能够读取的存储介质，其特征在于，

所述规定条件是经过一定时间或所述基板的研磨量达到一定量。

8.根据权利要求6所述的非暂时性的计算机能够读取的存储介质，其特征在于，

多个所述设定压力包括：基准压力条件，所述基准压力条件由各压力室的基准值构成；及多个设定压力条件，所述多个设定压力条件是仅使一个压力室的压力值从该基准压力条件变化而得到的。

9.根据权利要求6所述的非暂时性的计算机能够读取的存储介质，其特征在于，

通过对一块基板以多个所述设定压力依次进行基板研磨，从而测定所述多个研磨率。

10.根据权利要求8所述的非暂时性的计算机能够读取的存储介质，其特征在于，

在获取了基准率之后，基于所述基准率，对以多个所述设定压力依次进行基板研磨而得到的研磨率进行标准化，由此修正所述研磨率，所述基准率表示基于所述基准压力条件的研磨率的时间变化。

11.一种基板研磨的响应特性的获取方法，该方法获取通过将基板按压于研磨垫而进行所述基板的研磨的基板处理装置中的基板研磨的响应特性，该方法的特征在于，进行如下的工序：

对用于按压所述基板的多个压力室内的压力进行彼此独立的控制，从而进行压力反馈控制；

测定研磨中的所述基板的膜厚分布；

存储所述多个压力室中的设定压力的多个信息；

在所述基板的研磨中每当满足多个规定条件之一时，通过控制多个阀的至少一个，从而将所述多个压力室的至少一个的压力变更为多个所述设定压力的一个，并测定对于所述基板的研磨率，基于得到的多个研磨率，获取基板研磨对于所述压力室的压力反馈的响应特性，并存储得到的响应特性，

所述响应特性表示基板研磨对于多个压力室的压力反馈的响应性。