[发明专利]芯片层叠封装有效

专利信息
申请号: 201811433094.6 申请日: 2018-11-28
公开(公告)号: CN110379798B 公开(公告)日: 2023-06-13
发明(设计)人: 成基俊;金基范 申请(专利权)人: 爱思开海力士有限公司
主分类号: H01L25/065 分类号: H01L25/065;H01L23/528
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 王小东;黄纶伟
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 芯片 层叠 封装
【说明书】:

本公开涉及一种芯片层叠封装。该芯片层叠封装包括第一半导体芯片和第二半导体芯片。在所述第一半导体芯片的前表面上设置有第一重分布线结构,并且所述第一重分布线结构延伸到所述第一半导体芯片的侧表面上。在所述第一半导体芯片的前表面上设置有第二重分布线结构,并且所述第二重分布线结构延伸到所述第一半导体芯片的侧表面上。在所述第二半导体芯片的前表面上设置有第三重分布线结构,并且所述第三重分布线结构延伸到所述第二半导体芯片的侧表面上以电连接于所述第二重分布线结构。

技术领域

本公开的各种实施方式总体上涉及半导体封装技术,并且更具体地,涉及芯片层叠封装。

背景技术

最近,在各种电子系统中需要具有高密度和高性能的半导体封装。另外,已经开发出具有相对小形状因子的结构的半导体封装。响应于这种需求,大量努力已集中于改进用于制造芯片层叠封装的倒装芯片层叠技术。可通过在竖直方向上层叠多个半导体芯片来实现芯片层叠封装。

发明内容

根据实施方式,一种芯片层叠封装包括第一半导体芯片和第二半导体芯片。所述第一半导体芯片可具有彼此相对的第一表面和第二表面,并且还可具有使所述第一表面的边缘与所述第二表面的边缘连接的第一侧表面。所述第二半导体芯片可具有彼此相对的第三表面和第四表面,并且还可具有使所述第三表面的边缘与所述第四表面的边缘连接的第二侧表面。所述第二半导体芯片可层叠在所述第一半导体芯片的所述第二表面上。可在所述第一表面上设置有第一重分布线结构。所述第一重分布线结构可延伸到所述第一侧表面上。可在所述第一表面上设置有第二重分布线结构。所述第二重分布线结构可延伸到所述第一侧表面上。可在所述第三表面上设置有第三重分布线结构。所述第三重分布线结构可延伸到所述第二侧表面上以电连接于所述第二重分布线结构。

根据另一个实施方式,一种芯片层叠封装包括在竖直方向上层叠的一对子层叠结构。所述一对芯片层叠结构中的每个包括第一半导体芯片和第二半导体芯片。所述第一半导体芯片可具有彼此相对的第一表面和第二表面,并且还可具有使所述第一表面的边缘与所述第二表面的边缘连接的第一侧表面。所述第二半导体芯片可具有彼此相对的第三表面和第四表面,并且还可具有使所述第三表面的边缘与所述第四表面的边缘连接的第二侧表面。所述第二半导体芯片可层叠在所述第一半导体芯片的所述第二表面上。可在所述第一表面上设置有第一重分布线结构。所述第一重分布线结构可延伸到所述第一侧表面上。可在所述第一表面上设置有第二重分布线结构。所述第二重分布线结构可延伸到所述第一侧表面上。可在所述第三表面上设置有第三重分布线结构。所述第三重分布线结构可延伸到所述第二侧表面上以电连接于所述第二重分布线结构。可在所述第三表面上设置有第四重分布线结构。所述第四重分布线结构可延伸到所述第二侧表面上以电连接于所述第一重分布线结构。所述一对子层叠结构可在竖直方向上层叠,使得包括在所述一对子层叠结构中的一个子层叠结构中的所述第二半导体芯片的所述第三表面面对包括在所述一对子层叠结构中的另一个子层叠结构中的所述第一半导体芯片的所述第一表面。

附图说明

图1至图3是例示根据实施方式的芯片层叠封装的剖视图。

图4是例示设置在根据实施方式的芯片层叠封装的第一半导体芯片上的重分布线结构的示意图。

图5是例示设置在根据实施方式的芯片层叠封装的第二半导体芯片上的重分布线结构的示意图。

图6是例示设置在根据实施方式的芯片层叠封装中的重分布线结构的示意图。

图7和图8是例示根据实施方式的芯片层叠封装中采用的重分布线结构的连接方法的剖视图。

图9和图10是例示根据实施方式的芯片层叠封装的剖视图。

图11是例示采用包括根据实施方式的封装的存储卡的电子系统的框图。

图12是例示包括根据实施方式的封装的其他电子系统的框图。

具体实施方式

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