[发明专利]用于形成半导体器件结构的接合工艺

权利要求书

1.一种用于形成半导体器件结构的方法，包括：

接收具有多个预定管芯区域的第一晶圆；

在所述第一晶圆中形成凹槽，其中，所述凹槽在平行于所述预定管芯区域中的一个预定管芯区域的边缘的方向上延伸；

接收第二晶圆；以及

在形成所述凹槽之后，采用共晶接合工艺来接合并加热所述第一晶圆和所述第二晶圆，其中，所述凹槽将所述第一晶圆的中心部分的热膨胀与第一晶圆的边缘部分的热膨胀隔离，所述第一晶圆的中心部分的热膨胀与边缘部分的热膨胀基本相同。

2.根据权利要求1所述的用于形成半导体器件结构的方法，还包括：在所述第一晶圆中形成第二凹槽，其中，所述第二凹槽沿着所述预定管芯区域中的一个预定管芯区域的第二边缘延伸。

3.根据权利要求2所述的用于形成半导体器件结构的方法，其中，所述凹槽和所述第二凹槽在相同的蚀刻工艺中形成。

4.根据权利要求1所述的用于形成半导体器件结构的方法，其中，所述凹槽连续地围绕所述预定管芯区域中的一个预定管芯区域。

5.根据权利要求1所述的用于形成半导体器件结构的方法，其中，所述凹槽延伸跨过所述预定管芯区域中的两个预定管芯区域之间的预定划线。

6.根据权利要求1所述的用于形成半导体器件结构的方法，其中，所述凹槽连续地围绕两个或多个所述预定管芯区域。

7.根据权利要求1所述的用于形成半导体器件结构的方法，所述凹槽为第一凹槽，所述方法还包括在所述第一晶圆中形成第二凹槽，其中，所述第二凹槽和所述第一凹槽位于相同的预定划线中，

其中，所述第二晶圆的衬底与穿过所述预定划线的切割路径的相交位置处，没有凹槽。

8.根据权利要求1所述的用于形成半导体器件结构的方法，其中，所述凹槽沿着所述第一晶圆的预定划线延伸。

9.根据权利要求1所述的用于形成半导体器件结构的方法，其中，所述方法还包括在接合所述第一晶圆和所述第二晶圆之前，在所述第一晶圆上形成多个可移动元件。

10.根据权利要求1所述的用于形成半导体器件结构的方法，其中，所述凹槽延伸跨过所述预定管芯区域中的一个预定管芯区域，所述凹槽形成在所述一个预定管芯区域中。

11.根据权利要求1所述的用于形成半导体器件结构的方法，其中，在升高的温度下所述第一晶圆和所述第二晶圆通过所述共晶接合工艺来接合，且所述升高的温度在350℃至450℃的范围内。

12.一种用于形成半导体器件结构的方法，包括：

接收具有多个预定管芯区域的第一晶圆，其中，所述预定管芯区域通过多个预定划线彼此隔开；

在所述预定划线中的一些预定划线中形成多个凹槽；

接收第二晶圆；以及

在形成所述凹槽之后，采用共晶接合工艺来接合并加热所述第一晶圆和所述第二晶圆，所述凹槽将所述第一晶圆的中心部分的热膨胀与第一晶圆的边缘部分的热膨胀隔离，所述第一晶圆的中心部分的热膨胀与边缘部分的热膨胀基本相同。

13.根据权利要求12所述的用于形成半导体器件结构的方法，其中，所述凹槽中的一个凹槽延伸跨过一个所述预定划线。

14.根据权利要求12所述的用于形成半导体器件结构的方法，其中，所述第一晶圆不包括任何晶体管，且所述第二晶圆是CMOS晶圆。

15.根据权利要求12所述的用于形成半导体器件结构的方法，其中，所述凹槽中的一个凹槽连续地围绕两个或多个所述预定管芯区域。