[发明专利]高通流ZnO压敏电阻专用新型侧面高阻层的制备在审
申请号: | 201811434753.8 | 申请日: | 2018-11-28 |
公开(公告)号: | CN109686520A | 公开(公告)日: | 2019-04-26 |
发明(设计)人: | 何金良;孟鹏飞;胡军;谢清云;蒙小记;胡小定;李刚 | 申请(专利权)人: | 清华大学;西安西电避雷器有限责任公司 |
主分类号: | H01C17/06 | 分类号: | H01C17/06;H01C17/30 |
代理公司: | 天津市尚仪知识产权代理事务所(普通合伙) 12217 | 代理人: | 薛阳 |
地址: | 100084*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 侧面高阻层 喷雾干燥 球磨混合 烧结步骤 压敏电阻 原料配制 电阻片 高通 涂覆 制备 成型 加热溶解 直接涂覆 不一致 高阻层 收缩率 釉层 预烧 侧面 | ||
一种高通流ZnO压敏电阻专用新型侧面高阻层的制备,将配好的原料经混合和加热溶解,制成均匀的溶液,并在电阻片成型后直接涂覆在电阻片的侧面,其特征在于,包括原料配制步骤、球磨混合步骤、喷雾干燥步骤、压制成型步骤、烧结步骤、涂覆步骤、成片步骤,所述原料配制步骤、球磨混合步骤、喷雾干燥步骤、压制成型步骤、烧结步骤、涂覆步骤依次进行。其有益效果是:选择在成型后上高阻层,减少了原来因预烧收缩率不一致带来的釉层厚度的波动,工艺上更稳定。
技术领域
本发明涉及电阻片制备工艺领域,特别是一种非线性电阻片制造过程中高阻层的新方法。
背景技术
ZnO电阻片是ZnO避雷器的核心组件,因而是决定避雷器性能优劣的关键组件。在国标中对标称放电电流分别为5kA和10kA的避雷器其4/10μs大电流冲击耐受两次的能力,分别要求达到65kA和100kA。国外专利研究选用了SiO2Fe2O3系统的配方,但D3、D4电阻片耐受大电流冲击的能力仅能分别达到60kA和80kA左右,距分别要求达到65kA和100kA尚有一定距离。提高ZnO电阻片大电流能力国内同行的共同难题,其技术难度是多方面的,因为它不仅决定于高阻层本身的绝缘水平,而且还决定于高阻层与电阻片本体的结合性、热膨胀系数、弹性和抗张强度等性能的匹配性。因为无机高阻层系烧结于电阻片本体侧面的厚度仅为0.1-0.12mm的薄层,在高温下烧成时,二者将发生复杂的物理化学反应,在二者的接触处形成界于两者成分之间过渡层,该过渡层的厚薄、致密性等既与二者的组成、涂层厚度有关,也与烧成温度有关。所以要研制出与本体匹配适当、烧结范围宽的高阻层是相当困难的。
从收集到的国内外有关信息分析,用于避雷器的ZnO电阻片,为了解提高其大电流耐受能力,多数采取在本烧无机高阻层的基础上,涂敷低温玻璃釉或各种有机涂层的措施。有下列几种情况:
(1)在本烧无机高阻层后涂敷低温玻璃釉。某些厂家采用这种工艺的实际情况表明在玻璃釉配方选择适当、厚度相对较厚、熔敷温度制度适宜的情况下,可以达到提高大电流能力的效果,有些厂家的样品通过了国家检测中心的型式试验。但从大生产随机抽样的试验结果看,很难达到标准要求。其原因是,通常在大生产中釉层厚度很难控制加之热处理炉内釉熔融温度温差的波动使之与本体的结合性好坏不一致,釉面的外观色泽也不一:尤其是釉与本体的热膨胀系数难以匹配,所以难以达到稳定提高大电流的效果。加之喷釉工艺的生产效率低,生产成本亦高,质量难以保证,所以这些成为其难以推广应用的决定因素。
(2)在本烧无机高阻层的基础上加涂有机绝缘层。如涂耐热(200°C左右)聚酯漆、高温环氧树脂等,有些在其中还添加无机绝缘粉料,如氧化钛或氧化铝等。这是我国采用较为普遍,工艺上既方便又经济的措施。
(3)不涂无机高阻层,在烧结的电阻片瓷体侧面直接喷涂液态硅橡胶。由于硅橡胶偶联剂与本体结合,因而存在在着结合不牢、机械强度低的缺点。但由于硅橡胶是一种弹性好、绝缘强度高的塑性体,所以具有良好的耐受大电流冲击性。在U1m电位梯度200V/mm以下的情况下,D25和D4均可分别达到65KA和100KA。但是由于生产效率低、材料成本高,而且由于在包装运输过程,涂层容易碰损、磨损,因而电阻片不能作为商品出售,所以该厂家已不再采用,但作为提高电阻片大电流性能的成功技术措施,应该说不失为一种独创的思路。
基于上述情况,耐受大电流冲击好的高阻层,必须具有以下性状特征:
(1)从高阻层与电阻片本体在烧成过程易于发生反应和对本体的电气性能的影响程度考虑,高阻层配方中应选用与ZnO陶瓷部分成分相同或起生成物绝缘作用相似的成分,这样在烧成过程不仅能与本体容易发生互相扩散渗透反应,生成厚度适宜、结构致密、结合牢固、绝缘性高的高阻层,而且与远离本体的表层即使不能与本体发生反应自身也能生成结构致密、绝缘性高的高阻层。其生成物的主要物相应该是硅酸锌、锑锌尖晶石和少量固溶体或微晶玻璃。
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