[发明专利]用于光刻图案化的方法

权利要求书

1.一种用于光刻图案化的方法，包括：

在衬底上沉积目标层；

通过将离子注入到所述目标层中来减少入射到所述目标层上的光的反射，从而产生离子注入的目标层，将离子注入到所述目标层包括：

将第一物质的离子注入所述目标层的第一顶部部分；和

将第二物质的离子注入具有所述第一物质的所述目标层的第二顶部部分，其中，所述第一物质具有比所述第二物质更小的原子质量，第一顶部部分和第二顶部部分具有共同的顶面并且所述第一顶部部分比所述第二顶部部分厚；

在所述离子注入的目标层上涂覆光刻胶层；

使用光刻工艺将所述光刻胶层暴露于所述光，其中，所述目标层在所述光刻工艺期间减少在所述离子注入的目标层和所述光刻胶层之间的界面处的所述光的反射；

显影所述光刻胶层以形成光刻胶图案；

用所述光刻胶图案作为蚀刻掩模蚀刻所述离子注入的目标层；

使用至少蚀刻的离子注入的目标层作为工艺掩模处理所述衬底；以及

去除蚀刻的离子注入的目标层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述衬底的处理包括蚀刻所述衬底。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，在曝光所述光刻胶层之前，还包括：

将离子注入到所述光刻胶层中以在所述光刻胶层的顶部形成抗反射层。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一物质和所述第二物质选自：硼、磷、砷、锗、氟、硅、铝、氮、碳、氩、氧和氢。

5.根据权利要求1所述的方法，还包括：在注入所述第一物质的离子之后和在注入所述第二物质的离子之前，在950℃至1025℃的温度范围内对具有所述第一物质的目标层进行退火10秒至30秒的持续时间。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，以相同的注入能量剂量和离子剂量实施所述第一物质的离子的注入和所述第二物质的离子的注入。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，在涂覆所述光刻胶层之前，还包括：

使所述离子注入的目标层退火。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述衬底包括硅晶圆或掩模衬底。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述目标层包括以下之一：硅、氧化硅、氮化硅和包括金属的膜。

10.一种用于光刻图案化的方法，包括：

在衬底上沉积目标层，所述目标层包括无机材料；

通过将第一物质的离子注入到所述目标层的第一顶部部分中并且将第二物质的离子注入到具有所述第一物质的所述目标层的第二顶部部分中从而产生离子注入的目标层，来改变所述目标层的反射率，其中，所述第一物质具有比所述第二物质更小的原子质量，第一顶部部分和第二顶部部分具有共同的顶面并且所述第一顶部部分比所述第二顶部部分厚；

在所述离子注入的目标层上涂覆光刻胶层；

使用光刻工艺曝光所述光刻胶层；

显影所述光刻胶层以形成光刻胶图案；

用所述光刻胶图案作为蚀刻掩模蚀刻所述离子注入的目标层，得到图案化的离子注入的目标层；以及

用至少所述图案化的离子注入的目标层作为工艺掩模处理所述衬底。

11.根据权利要求10所述的方法，还包括：

在曝光所述光刻胶层之前将第三物质的离子注入到具有所述第一物质和所述第二物质的所述目标层中，其中，所述第二物质具有比所述第三物质更小的原子质量。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述第一物质是硼，所述第二物质是磷，所述第三物质是砷。