[发明专利]一种能在不同频段实现不同分频比功能的注入锁定分频器有效

专利信息
申请号: 201811435535.6 申请日: 2018-11-28
公开(公告)号: CN109560774B 公开(公告)日: 2021-09-14
发明(设计)人: 马凯学;王豪;孟凡易;牟首先;马宗琳 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: H03B19/14 分类号: H03B19/14
代理公司: 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 代理人: 梁田
地址: 610000 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 不同 频段 实现 分频 功能 注入 锁定 分频器
【权利要求书】:

1.一种能在不同频段实现不同分频比功能的注入锁定分频器,其特征在于,所述注入锁定分频器包括:多分频模式信号注入装置和LC谐振单元;所述多分频模式信号注入装置包括2分频信号注入装置和3分频信号注入装置,所述2分频信号注入装置和3分频信号注入装置分别通过偏置开关装置独立控制其信号注入模式的开启和关断,以在不同频段实现不同分频比;且所述2分频信号注入装置和3分频信号注入装置均注入差分信号,不需要对信号注入做同相信号注入与反相信号注入的改变;所述2分频信号注入装置包括:两个场效应晶体管或双极性晶体管M6和M7,M6的栅极或基极通过电容C3输入信号Vinj+,M6的栅极或基极通过电阻R4接偏置电压V4,M6作为二分频的信号注入,通过开关偏置装置来控制二分频模式的开启与关断,M7的栅极或基极通过电容C4输入信号Vinj-,M7虚置,仅作为差分信号的另一端注入,M7是为保证信号注入的对称性而存在的,并无实际的分频功能;所述3分频信号注入装置包括:两个场效应晶体管或双极性晶体管M4和M5,M4的栅极或基极通过电容C1输入信号Vinj+,且M4的栅极或基极通过电阻R2接偏置电压V2,M5的栅极或基极通过电容C2输入信号Vinj-,且M5的栅极或基极通过电阻R3接偏置电压V3,且M4和M5作为三分频的信号注入,通过开关偏置装置来控制三分频模式的开启与关断;所述信号Vinj+和信号Vinj-是幅度相同、相位相差180度的差分信号。

2.根据权利要求1所述的注入锁定分频器,其特征在于,通过控制偏置电压V2、V3、V4,实现控制不同分频比的场效应晶体管或双极性晶体管的导通与关断,来选择进行2分频或3分频,当需要实现3分频时需要场效应晶体管或双极性晶体管M4和M5,M4和M5分别从栅极或基极注入差分信号Vinj+和Vinj-;当需要实现2分频时需要场效应晶体管或双极性晶体管M6和M7,M6和M7分别从栅极或基极注入差分信号Vinj+和Vinj-。

3.根据权利要求1-2任一项所述的注入锁定分频器,其特征在于,所述注入锁定分频器还包括开关电容阵列,所述开关电容阵列包括四组并联的相同结构的开关电容,所述开关电容由一个场效应晶体管或双极性晶体管、两个电容、三个电阻构成,其中,所述场效应晶体管或双极性晶体管的栅极或基极通过一个电阻接偏置电压,所述场效应晶体管或双极性晶体管的漏极/集电极和源极/发射极分别通过一个电阻接地,且所述场效应晶体管或双极性晶体管的漏极/集电极和源极/发射极分别接一个电容,所述场效应晶体管或双极性晶体管导通与关断时,同时配合电容,通过改变电容值来改变分频范围,增大选频带宽。

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