[发明专利]一种自适应的超表面电磁隐身衣系统及其工作方法

权利要求书

1.一种自适应的超表面电磁隐身衣系统，其特征在于，包括谐振模块、探测模块、深度学习模块、电压控制模块；

所述谐振模块，用于无缝拼接成隐身衣；

所述电压芯片模块，用于为所述谐振模块提供直流偏置电压；

所述探测模块，用于探测电磁波的入射波信息和隐身衣所处的环境背景信息；

所述深度学习模块，用于接收所述探测模块探测的信息，计算出所述谐振单元所需要的偏置电压值，并控制所述电压芯片模块提供相应的直流偏置电压。

2.如权利要求1所述的隐身衣系统，其特征在于，所述谐振模块包括亚波长有源谐振单元，多个所述亚波长有源谐振单元无缝拼接，所述亚波长有源谐振单元包括三层：上层为谐振结构，中层为低损耗的介质，下层为金属。

3.如权利要求2所述的隐身衣系统，其特征在于，所述谐振结构上焊接有变容二极管，通过加载直流偏置电压于所述变容二极管以调控反射光谱。

4.如权利要求2所述的隐身衣系统，其特征在于，所述亚波长有源谐振单元尺寸小于工作电磁波波长。

5.如权利要求3所述的隐身衣系统，其特征在于，所述谐振结构为形状多样的金属。

6.如权利要求3所述的隐身衣系统，其特征在于，所述变容二极管调控反射光谱，使每个所述亚波长有源谐振单元改变的反射波相位满足如下条件：

Δφ＝180°-2k_bhcos(θ)

其中，Δφ表示需要的改变的反射波相位，θ表示隐身衣的工作电磁波与水平面夹角的余角，h表示亚波长有源谐振单元的几何中心距离地面的高度，k_b表示隐身衣的工作电磁波波数。

7.如权利要求6所述的隐身衣系统，其特征在于，所述亚波长有源谐振单元的反射波相位调控范围为-180°到180°。

8.如权利要求1所述的隐身衣系统，其特征在于，所述深度学习模块利用随机梯度算法或自适应学习率算法对深度学习模块进行训练。

9.一种权利要求1-8中任一项的自适应的超表面电磁隐身衣系统的工作方法，其特征在于，该方法包括：

先收集不同的入射波信息和环境背景信息下，隐身衣中所有变容二极管需要的直流偏置电压值；

将入射波信息和环境背景信息输入到深度学习模型中，利用后向传播和随机梯度算法或自适应学习率算法对每个神经元强度进行训练，得到训练好的深度学习模型；所述训练好的深度学习模型可对输入为任意的入射波信息和环境背景信息，计算出所有变容二极管需要的直流偏置电压值，控制电压芯片对所述变容二极管提供对应的直流偏置电压。