[发明专利]肖特基势垒晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201811436193.X | 申请日： | 2018-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN109671780B | 公开（公告）日： | 2023-06-16 |
| 发明（设计）人： | 罗军;毛淑娟;许静 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/47;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 肖特基势垒 晶体管 及其 制备 方法 | ||
1.一种肖特基势垒晶体管，包括衬底(10)以及位于所述衬底(10)上的栅极结构，其特征在于，所述肖特基势垒晶体管还包括：
沟道区，位于与所述栅极结构对应的所述衬底(10)表面上，所述沟道区包括SiGe层(20)；
源漏区，包括位于所述沟道区两侧的第二金属硅化物层(60)和第三金属硅化物层(90)，所述第二金属硅化物层(60)位于所述衬底(10)中，所述第三金属硅化物层(90)位于与所述第二金属硅化物层(60)对应的所述衬底(10)表面之上，且所述第二金属硅化物层(60)的功函数小于所述第三金属硅化物层(90)的功函数，
形成所述第二金属硅化物层(60)的原料包括第二金属，所述第二金属的功函数为2.0～4.3eV，
形成所述第三金属硅化物层(90)的原料包括SiGe和第三金属，所述第三金属的功函数为4.3～5.65eV，其中，形成第三金属硅化物层(90)的SiGe与所述沟道区中的SiGe层(20)均为形成于所述衬底(10)的表面之上的SiGe层的组成部分；
所述衬底(10)为SOI衬底，所述SOI衬底包括顺序层叠的硅衬底、埋氧层(110)以及硅层(120)，所述SiGe层(20)设置在所述硅层(120)的表面之上，所述第二金属硅化物层(60)设置在所述硅层(120)中，所述第三金属硅化物层(90)位于硅层表面之上，所述硅层(120)的厚度为1～20nm；
所述肖特基势垒晶体管为PMOS晶体管，
所述第二金属硅化物层(60)选自HfSix、ZrSix、LaSix、TiSix、EuSix和GdSix中的任一种，其中，1≤x≤2；
所述第三金属硅化物层(90)选自Al2SixGey、Co2SixGey、Ir2SixGey、Ni2SixGey、Pd2SixGey、Pt2SixGey和Ti2SixGey中的任一种，其中，1≤x≤2，1≤y≤2；
所述SiGe层(20)与所述第三金属硅化物层(90)的之间的势垒为0.5～1eV，所述第二金属与第三金属的材料不同。
2.根据权利要求1所述的肖特基势垒晶体管，其特征在于，所述沟道区还包括设置于所述SiGe层(20)与所述栅极结构之间的帽层，形成所述帽层的材料为Si，所述帽层的厚度为2～5nm。
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