[发明专利]提升电子设备ESD性能的方法及检测装置在审
| 申请号： | 201811436629.5 | 申请日： | 2018-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN109324249A | 公开（公告）日： | 2019-02-12 |
| 发明（设计）人： | 李妹;罗杰;甘万勇;冯宇玉;张坤;许传停 | 申请（专利权）人： | 晶晨半导体（上海）股份有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/00 | 分类号： | G01R31/00;H02H9/00 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区中国*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电子设备 目标电子设备 检测装置 电子技术领域 处理方式 定位目标 故障类型 故障位置 故障原因 | ||
1.一种提升电子设备ESD性能的方法，其特征在于，包括下述步骤：
识别目标电子设备的故障类型，每一故障类型对应一至少一种处理方式；
根据所述故障类型选择相应的处理方式对所述目标电子设备进行相应操作。
2.根据权利要求1所述的提升电子设备ESD性能的方法，其特征在于：所述故障类型包括：
在进行ESD测试时，所述目标电子设备的至多两个测试点的测试出现异常；和/或
在进行ESD测试时，所述目标电子设备的至少三个测试点的测试出现异常；和/或
在进行ESD测试时，转换工作模式后，所述目标电子设备的测试出现异常；和/或
在进行ESD测试时，所述目标电子设备的局部区域测试正常，且所述目标电子设备的整体测试出现异常。
3.根据权利要求2所述的提升电子设备ESD性能的方法，其特征在于：在进行ESD测试时，与所述目标电子设备的至多两个测试点的测试出现异常对应的处理方式为：
将测试出现异常对应的所述测试点的状态修改为输出高电平，或
在所述测试点增加静电保护器件。
4.根据权利要求2所述的提升电子设备ESD性能的方法，其特征在于：在进行ESD测试时，与所述目标电子设备的至少三个测试点的测试出现异常的处理方式为：
所述目标电子设备识别接收到的校验码是否异常，若异常，则保留静电来前一次有效数据；或
对所述目标电子设备增加屏蔽罩。
5.根据权利要求2所述的提升电子设备ESD性能的方法，其特征在于：在进行ESD测试时，与转换工作模式后，所述目标电子设备的测试出现异常的处理方式为：
在所述目标电子设备上增加ESD元器件。
6.根据权利要求2所述的提升电子设备ESD性能的方法，其特征在于：在进行ESD测试时，与所述目标电子设备的局部区域测试正常，且所述目标电子设备的整体测试出现异常的处理方式为：
在所述目标电子设备上增加陶瓷散热片；或
在所述目标电子设备上增加金属散热片，且所述金属散热片接地。
7.一种检测装置，用于检测电子设备的ESD性能，其特征在于，包括：
识别单元，用于识别目标电子设备的故障类型，每一故障类型对应一至少一种处理方式；
处理单元，用于根据所述故障类型选择相应的处理方式对所述目标电子设备进行相应操作。
8.根据权利要求7所述的检测装置，其特征在于：所述故障类型包括：
在进行ESD测试时，所述目标电子设备的至多两个测试点的测试出现异常；和/或
在进行ESD测试时，所述目标电子设备的至少三个测试点的测试出现异常；和/或
在进行ESD测试时，转换工作模式后，所述目标电子设备的测试出现异常；和/或
在进行ESD测试时，所述目标电子设备的局部区域测试正常，且所述目标电子设备的整体测试出现异常。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于晶晨半导体（上海）股份有限公司，未经晶晨半导体（上海）股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811436629.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
