[发明专利]闪存单元、闪存模块以及闪存芯片

权利要求书

1.一种闪存单元，其特征在于，包括：用于存储长时数据的可编程半导体器件以及用于存储临时数据的模拟电容单元，所述可编程半导体器件与所述模拟电容单元并联连接。

2.根据权利要求1所述闪存单元，其特征在于，所述模拟电容单元包括：输出晶体管、充电晶体管、放电晶体管以及电容；

所述输出晶体管的漏极连接所述可编程半导体器件的漏极，源极连接所述可编程半导体器件的源极，栅极连接所述电容的一端；

所述充电晶体管的源极连接高电压，栅极连接第一控制电压，漏极连接所述电容的另一端；

所述放电晶体管的源极连接低电压，栅极连接第二控制电压，漏极连接所述电容的另一端。

3.根据权利要求2所述闪存单元，其特征在于，还包括：编程电路，

所述编程电路连接所述充电晶体管的栅极和/或所述放电晶体管的栅极，用于向所述充电晶体管以及放电晶体管提供所述第一控制电压和/或所述第二控制电压。

4.根据权利要求3所述闪存单元，其特征在于，所述编程电路还连接所述可编程半导体器件，用于向所述可编程半导体器件提供编程电压。

5.根据权利要求4所述闪存单元，其特征在于，所述编程电路包括：电压产生电路和电压控制电路，所述电压产生电路用于产生所述第一控制电压和/或所述第二控制电压和/或所述编程电压，所述电压控制电路用于将所述电压产生电路产生的电压加载至对应的充电晶体管和/或放电晶体管和/或可编程半导体器件。

6.根据权利要求5所述闪存单元，其特征在于，还包括：控制电路，连接所述编程电路，用于控制所述编程电路工作。

7.一种闪存模块，其特征在于，包括多个呈阵列布置的如权利要求1至2任一项所述闪存单元以及外围电路、控制电路，所述外围电路连接所述闪存单元以及所述控制电路。

8.根据权利要求7所述闪存模块，其特征在于，所述外围电路包括：编程电路，所述编程电路连接所述闪存单元和所述控制电路。

9.根据权利要求8所述闪存模块，其特征在于，所述外围电路还包括：行列译码器，所述行列译码器连接所述闪存单元和所述控制电路。

10.一种闪存芯片，其特征在于，包括：输入接口电路、编程电路、行列译码器、控制电路、输出接口电路以及多个闪存模块；每个闪存模块均包括呈阵列布置的多个如权利要求1至2任一项所述闪存单元；

多个所述闪存模块串联组成串联支路；

所述输入接口电路一端连接外部电路，另一端连接所述串联支路的输入端；

所述输出接口电路一端连接所述串联支路的输出端，另一端连接外部电路；

所述控制电路连接所述编程电路、所述行列译码器；

所述编程电路、所述行列译码器均连接各闪存模块。

11.一种闪存芯片，其特征在于，包括：输入接口电路、编程电路、行列译码器、控制电路、输出接口电路、片上存储器以及多个闪存模块；每个闪存模块均包括呈阵列布置的多个如权利要求1至2任一项所述闪存单元；

所述输入接口电路一端连接外部电路，另一端连接所述片上存储器的输入端；

所述输出接口电路一端连接所述片上存储器的输出端，另一端连接外部电路；

多个闪存模块分别连接所述片上存储器；

所述控制电路连接所述编程电路、所述行列译码器；

所述编程电路、所述行列译码器均连接各闪存模块。