[发明专利]一种发光器件及显示器

说明书

一种发光器件及显示器，属于光电技术领域。发光器件包括依次层叠布置的阳极、发光层、电子传输层、电子蓄积层以及阴极。其中，电子蓄积层的最低未占分子轨道能级小于电子传输层的最低未占分子轨道能级，且电子蓄积层的最低未占分子轨道能级与电子传输层的最低未占分子轨道能级差值的绝对值大于0.2eV且小于等于1.5eV。该发光器件中的电子和空穴注入发光层的接近或达到注入平衡，避免电子注入过量带来的非期望复合和充电等现象，提高了发光器件的发光效率和寿命。

技术领域

本发明涉及光电技术领域，具体而言，涉及一种发光器件及显示器。

背景技术

量子点(Quantum Dots)是一些肉眼无法看到的、极其微小的半导体纳米晶体。这样的半导体纳米晶体是粒径不足10纳米的颗粒。通常地，量子点主要由锌、镉、硒和硫原子等组合而成。

量子点有一个与众不同的特性：每当受到光或电的刺激，量子点便会发出有色光线，而该光线的颜色主要由量子点的组成材料和大小形状决定。因此，通过对量子点的组成和形状进行调整，可使量子点发出的光线的颜色被改变。由于量子点具有优异的性能，对其的研究众多。在这些研究中，在发光二极管领域应用量子点的尝试显得尤为突出。

量子点发光二极管(Quantum Dot Light Emitting Diodes，QLED)是不需要额外光源的自发光器件。QLED的发光中心主要是量子点。其结构是两侧的电子(Electron)和空穴(Hole)在量子点层中汇聚并复合后形成激子(Exciton)，并且通过激子的重组发光。

由于QLEDs的发光效率、寿命等方面在很大程度取决于空穴和电子的复合，使两者适当地复合就显得尤为重要。然而，在目前的量子点发光二极管中，载流子(空穴和电子)非平衡注入，导致器件的效率偏低、寿命变差。

有鉴于此，特提出本发明。

公开于该背景技术部分的信息仅仅旨在加深对本发明的总体背景技术的理解，而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域技术人员所公知的现有技术。

发明内容

基于现有技术的不足，本发明提供了一种发光器件及显示器，以部分或全部地改善、甚至解决以上问题。

本发明是这样实现的：

在第一方面，本发明的示例提供了一种发光器件。

该发光器件包括依次层叠布置的阳极、发光层、电子传输层、电子蓄积层以及阴极。

其中，电子蓄积层的最低未占分子轨道能级小于电子传输层的最低未占分子轨道能级，且电子蓄积层的最低未占分子轨道能级与电子传输层的最低未占分子轨道能级差值的绝对值大于0.2eV且小于等于1.5eV。

以上发光器件在阴极和电子传输层之间增设电子蓄积层，并且通过对其与电子传输层的能级进行选择，从而可以增加电子传输的阻力，以降低其传输速率，达到使发光层中的空穴和电子注入达到或接近平衡。由于发光层内的空穴和电子注入更加的匹配，空穴和电子能够以更恰当的方式复合并且随后发光。如此，发光器件的发光效率和寿命都得以提升。

结合第一方面，在本发明的第一方面的第一种可能的实施方式的一些可选示例中，电子蓄积层的最低未占分子轨道能级与电子传输层的最低未占分子轨道能级的差值的绝对值大于0.2eV且小于等于0.6eV。

可选地，电子蓄积层的最低未占分子轨道能级与电子传输层的最低未占分子轨道能级的差值的绝对值大于等于0.5eV且小于等于0.9eV。

可选地，电子蓄积层的最低未占分子轨道能级与电子传输层的最低未占分子轨道能级的差值的绝对值大于等于0.7eV且小于等于1.1eV。