[发明专利]多层薄膜结构的形成方法及多层薄膜结构

权利要求书

1.一种多层薄膜结构的形成方法，其特征在于，包括如下步骤：

形成第一膜层；

形成过渡层于所述第一膜层表面，所述过渡层包括沿垂直于所述第一膜层的方向交替堆叠、且通过化学键结合的第一过渡膜和第二过渡膜；

形成第二膜层于所述过渡层表面；

所述第一过渡膜、所述第二过渡膜的材料分别与所述第一膜层、所述第二膜层相同，且所述第一过渡膜与所述第二过渡膜之间无界面，以减小所述第一膜层与所述第二膜层之间的界面应力。

2.根据权利要求1所述的多层薄膜结构的形成方法，其特征在于，所述第一膜层由多层第一单原子层膜层叠构成；形成所述第一膜层的具体步骤包括：提供一衬底；

于所述衬底表面循环进行多次第一原子层沉积步骤，形成第一膜层；所述第一原子层沉积步骤用于形成所述第一单原子层膜。

3.根据权利要求2所述的多层薄膜结构的形成方法，其特征在于，所述第一过渡膜包括至少一层所述第一单原子层膜，所述第二过渡膜包括至少一层第二单原子层膜；形成过渡层于所述第一膜层表面的具体步骤包括：

沿垂直于所述第一膜层的方向交替进行所述第一原子层沉积步骤和第二原子层沉积步骤，形成所述过渡层；所述第二原子层沉积步骤用于形成所述第二单原子层膜。

4.根据权利要求3所述的多层薄膜结构的形成方法，其特征在于，所述第二膜层由多层所述第二单原子层膜层叠构成；形成第二膜层的具体步骤包括：于所述过渡层表面循环进行多次所述第二原子层沉积步骤，形成第二膜层。

5.根据权利要求3所述的多层薄膜结构的形成方法，其特征在于，沿所述第一膜层指向所述第二膜层的方向，第一过渡膜中所包含的第一单原子层膜的数量逐渐减小，且第二过渡膜中所包含的第二单原子层膜的数量逐渐增大。

6.一种多层薄膜结构，其特征在于，包括：

第一膜层；

过渡层，位于所述第一膜层表面；所述过渡层包括沿垂直于所述第一膜层的方向交替堆叠、且通过化学键结合的第一过渡膜和第二过渡膜；

第二膜层，位于所述过渡层表面；

所述第一过渡膜的材料、所述第二过渡膜的材料分别与所述第一膜层、所述第二膜层相同，且所述第一过渡膜与所述第二过渡膜之间无界面，以减小所述第一膜层与所述第二膜层之间的界面应力。

7.根据权利要求6所述的多层薄膜结构，其特征在于，所述第一膜层由多层第一单原子层膜层叠构成，所述第二膜层由多层第二单原子层膜层叠构成；所述第一单原子层膜与所述第二单原子层膜均通过原子层沉积工艺形成。

8.根据权利要求7所述的多层薄膜结构，其特征在于，所述第一过渡膜包括至少一层所述第一单原子层膜，所述第二过渡膜包括至少一层第二单原子层膜。

9.根据权利要求8所述的多层薄膜结构，其特征在于，所述第一过渡膜中第一单原子层膜的层数与所述第二过渡膜中第二单原子层膜的层数均不大于3。

10.根据权利要求8所述的多层薄膜结构，其特征在于，沿所述第一膜层指向所述第二膜层的方向，第一过渡膜中所包含的第一单原子层膜的数量逐渐减小，且第二过渡膜中所包含的第二单原子层膜的数量逐渐增大。