[发明专利]一种InAlSb红外探测器表面钝化方法

权利要求书

1.一种InAlSb红外探测器表面钝化方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一：将InAlSb探测器芯片放入有机溶剂中浸泡；

步骤二：将InAlSb探测器芯片放入酸性溶液中浸泡；

步骤三：将InAlSb探测器芯片放入阳极化溶液中，设定阳极化电流并接通阳极化电源的正负极，当芯片表面的阻值达到设定值时，切断阳极化电源；

所述阳极化溶液为硫化钠和水的配方溶液；

所述硫化钠和水的配方溶液是指硫化钠K，1K100g，溶于1000ml水中；

所述阳极化电流的计算方法是：极化电流I＝S×M，InAlSb探测器芯片的表面积为S,每平方英寸面积通过的极化电流M，0.1M10A/sq.in；

所述InAlSb探测器芯片表面阻值通过测定InAlSb探测器芯片的电压得到，电压值为N，1N50V；

步骤四：清洗InAlSb探测器芯片；

步骤五：将InAlSb探测器芯片放入PECVD设备中，制备介质膜。

2.如权利要求1所述的一种InAlSb红外探测器表面钝化方法，其特征是：所述有机溶剂是指乙醇、甲醇、丙酮、异丙醇，InAlSb探测器芯片浸泡的时间T1，1T12000s。

3.如权利要求1所述的一种InAlSb红外探测器表面钝化方法，其特征是：所述酸性溶液是指氢氟酸、盐酸、硝酸、柠檬酸，InAlSb探测器芯片浸泡的时间T2，1T21000s。

4.如权利要求1所述的一种InAlSb红外探测器表面钝化方法，其特征是：所述PECVD制备的介质膜是指SiO₂、SiNO、SiN_x。

5.如权利要求4所述的一种InAlSb红外探测器表面钝化方法，其特征是：所述介质膜的厚度为D，100D10000nm，介质膜的折射率为T，1.3T1.5。